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1. (WO2008035676) レジストパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/035676    国際出願番号:    PCT/JP2007/068089
国際公開日: 27.03.2008 国際出願日: 18.09.2007
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IWASHITA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IWASHITA, Jun; (JP)
代理人: TANAI, Sumio; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2006-253186 19.09.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER UN MOTIF DE RÉSIST
(JA) レジストパターン形成方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming resist pattern, which is characterized by comprising a step for forming a first resist film (2) by applying a positive resist composition to a supporting body (1), a step for forming a first resist pattern (3) by selectively exposing the first resist film (2) to light through a first mask pattern and developing the resulting, a step for forming a second resist film (6) by applying a negative resist composition containing an organic solvent (S'') including an alcohol-based organic solvent to the supporting body (1) on which the first resist pattern (3) has been formed, and a step for forming a resist pattern denser than the first resist pattern (3) by selectively exposing the second resist film (6) to light through a second mask pattern and developing the resulting.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former un motif de résist qui est caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à former un premier film de résist (2) en appliquant une composition de résist positif à un corps de support (1), une étape consistant à former un premier motif de résist (3) en exposant sélectivement le premier film de résist (2) à la lumière à travers un premier motif de masque et en développant le résultat, une étape consistant à former un second film de résist (6) en appliquant une composition de résist négatif contenant un solvant organique (S') comprenant un solvant organique à base d'alcool au corps de support (1) sur lequel le premier motif de résist (3) a été formé, et une étape consistant à former un motif de résist plus dense que le premier motif de résist (3) en exposant sélectivement le second film de résist (6) à la lumière à travers un second motif de masque et en développant le résultat.
(JA)本発明は、支持体1上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成する工程と、前記第一のレジスト膜2を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン3を形成する工程と、前記第一のレジストパターン3が形成された前記支持体1上に、アルコール系有機溶剤を含む有機溶剤(S”)を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成する工程と、前記第二のレジスト膜6を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して前記第一のレジストパターン3よりも密なレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)