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1. (WO2008035668) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/035668    国際出願番号:    PCT/JP2007/068077
国際公開日: 27.03.2008 国際出願日: 18.09.2007
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/367 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KYUSHIMA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJITA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORI, Harumichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KYUSHIMA, Ryuji; (JP).
FUJITA, Kazuki; (JP).
MORI, Harumichi; (JP).
HONDA, Masahiko; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
優先権情報:
2006-253221 19.09.2006 JP
発明の名称: (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約: front page image
(EN)A solid state imaging device (1) includes a photo detection unit (10) having M x N pixel portions P1,1 to PM,N which are two-dimensionally arranged in M row and N columns. Each of the pixel portions Pm, n includes a photo diode PD, an amplification transistor T1, a transfer transistor T2, a discharge transistor T3, and a selection transistor T4. A transfer control resistor RT,m has one end connected to a transfer control line LT,m and the other end connected to potential which can turn ON the transfer transistor T2 contained in each pixel portion Pm,n of the m-th row of the photo detection unit (10). A discharge control resistor RR,m has one end connected to a discharge control line LR,m and the other end connected to potential which can turn ON the discharge transistor T3 contained in each pixel portion Pm,n of the m-th row of the photo detection unit (10).
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (1) qui comprend une unité de photodétection (10) possédant des parties de pixel M x N P1,1 à PM,N qui sont disposées de manière bidimensionnelle dans une rangée M et des colonnes N. Chacune des parties de pixel Pm,n comprend une photodiode PD, un transistor d'amplification T1, un transistor de transfert T2, un transistor de décharge T3, et un transistor de sélection T4. Une résistance de commande de transfert RT,m a une extrémité connectée à une ligne de commande de transfert LT,m et l'autre extrémité connectée à un potentiel qui peut allumer le transistor de transfert T2 contenu dans chaque partie de pixel Pm,n de la m-ième rangée de l'unité de photodétection (10). Une résistance de commande de décharge RR,m a une extrémité connectée à une ligne de commande de décharge LR,m et l'autre extrémité connectée à un potentiel qui peut allumer le transistor de décharge T3 contenu dans chaque partie de pixel Pm,n de la m-ième rangée de l'unité de photodétection (10).
(JA)固体撮像装置1に含まれる光検出部10は、M×N個の画素部P1,1~PM,NがM行N列に2次元配列されたものである。各画素部Pm,nは、フォトダイオードPD、増幅用トランジスタT、転送用トランジスタT、放電用トランジスタTおよび選択用トランジスタTを含む。転送制御用抵抗器RT,mは、転送制御用配線LT,mに一端が接続され、光検出部10の第m行の各画素部Pm,nに含まれる転送用トランジスタTをオンし得る電位に他端が接続される。放電制御用抵抗器RR,mは、放電制御用配線LR,mに一端が接続され、光検出部10の第m行の各画素部Pm,nに含まれる放電用トランジスタTをオンし得る電位に他端が接続される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)