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1. (WO2008035403) 電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/035403    国際出願番号:    PCT/JP2006/318572
国際公開日: 27.03.2008 国際出願日: 20.09.2006
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHKI, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAMOTO, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHKI, Toshihiro; (JP).
OKAMOTO, Naoya; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)A field effect transistor comprises a semiconductor multilayer structure including a carrier travel layer made of a nitride semiconductor, a gate electrode formed in a region corresponding to the channel region in the carrier travel layer on the semiconductor multilayer structure and having a first side wall surface on a first side and a second side wall surface on a second side, an insulting film formed on the gate electrode and covering at least one of the first and second side wall surfaces, a first ohmic electrode formed on the first side of the gate electrode on the semiconductor multilayer structure, a second ohmic electrode formed on the second side of the gate electrode on the semiconductor multilayer structure, and a passivation film including a first part extending from the first ohmic electrode toward the gate electrode in such a way as to cover the region between the first ohmic electrode and gate electrode on the surface of the semiconductor multilayer structure and a second part extending from the second ohmic electrode toward the gate electrode in such a way as to cover the region between the second ohmic electrode and gate electrode on the surface of the semiconductor multilayer structure. The insulating film is in contact with at least the first and second passivation film parts and has a composition different from that of the passivation film.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ qui comporte une structure multicouche semi-conductrice comprenant une couche de déplacement de porteurs faite d'un semi-conducteur de nitrure, une électrode de grille formée dans une région correspondant à la région de canal dans la couche de déplacement de porteurs sur la structure multicouche semi-conductrice et ayant une première surface de paroi latérale sur un premier côté et une seconde surface de paroi latérale sur un second côté, un film isolant formé sur l'électrode de grille et recouvrant au moins l'une des première et seconde surfaces de paroi latérale, une première électrode ohmique formée sur le premier côté de l'électrode de grille sur la structure multicouche semi-conductrice, une seconde électrode ohmique formée sur le second côté de l'électrode de grille sur la structure multicouche semi-conductrice, et un film de passivation comprenant une première partie s'étendant à partir de la première électrode ohmique vers l'électrode de grille de façon à recouvrir la région entre la première électrode ohmique et l'électrode de grille sur la surface de la structure multicouche semi-conductrice et une seconde partie s'étendant à partir de la seconde électrode ohmique vers l'électrode de grille de façon à couvrir la région entre la seconde électrode ohmique et l'électrode de grille sur la surface de la structure multicouche semi-conductrice. Le film isolant est en contact avec au moins les première et seconde parties du film de passivation et possède une composition différente de celle du film de passivation.
(JA) 電界効果トランジスタは、窒化物半導体よりなるキャリア走行層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に、前記キャリア走行層中のチャネル領域に対応して形成され、第1の側に第1の側壁面を、第2の側に第2の側壁面を有するゲート電極と、前記ゲート電極上に直接に形成され、前記第1および第2の側壁面のうち、少なくとも一方を覆う絶縁膜と、前記半導体積層構造上、前記ゲート電極の前記第1の側に形成された第1のオーミック電極と、前記半導体積層構造上、前記ゲート電極の前記第2の側に形成された第2のオーミック電極と、前記半導体積層構造の表面のうち、前記第1のオーミック電極と前記ゲート電極の間の領域を覆うように前記第1のオーミック電極から前記ゲート電極に向かって延在する第1の部分と、前記半導体積層構造表面のうち、前記第2のオーミック電極と前記ゲート電極の間の領域を覆うように前記第2のオーミック電極から前記ゲート電極に向かって延在する第2の部分とを含むパッシベーション膜と、よりなり、前記絶縁膜は少なくとも前記第1および第2のパッシベーション膜部分に接し、前記パッシベーション膜とは異なる組成を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)