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1. (WO2008032794) CMP研磨剤、CMP研磨剤用添加液及びこれらを用いた基板の研磨方法

Pub. No.:    WO/2008/032794    International Application No.:    PCT/JP2007/067863
Publication Date: 2008/03/20 International Filing Date: 2007/09/13
IPC: B24B 37/04
C09K 3/14
H01L 21/304
Applicants: HITACHI CHEMICAL CO., LTD.
日立化成工業株式会社
FUKASAWA, Masato
深沢 正人
YAMAGISHI, Chiaki
山岸 智明
KIMURA, Tadahiro
木村 忠広
AKUTSU, Toshiaki
阿久津 利明
Inventors: FUKASAWA, Masato
深沢 正人
YAMAGISHI, Chiaki
山岸 智明
KIMURA, Tadahiro
木村 忠広
AKUTSU, Toshiaki
阿久津 利明
Title: CMP研磨剤、CMP研磨剤用添加液及びこれらを用いた基板の研磨方法
Abstract:
 本発明は、酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子及び水を含有し、前記水溶性高分子が、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体を、還元性無機酸塩と酸素とをレドックス重合開始剤として重合してなる重合体を含むCMP研磨剤、CMP研磨剤用添加液及びこれらを用いた基板の研磨方法に関する。これにより、層間絶縁膜、BPSG膜、シャーロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、酸化珪素膜の研磨を効率的に行うことができる。