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1. (WO2008032618) 半導体ナノ粒子とその製造方法

Pub. No.:    WO/2008/032618    International Application No.:    PCT/JP2007/067279
Publication Date: 2008/03/20 International Filing Date: 2007/09/05
IPC: C01B 33/02
C09K 11/08
C09K 11/59
C09K 11/66
Applicants: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.
コニカミノルタエムジー株式会社
GOAN, Kazuyoshi
午菴 一賀
TSUKADA, Kazuya
塚田 和也
HOSHINO, Hideki
星野 秀樹
Inventors: GOAN, Kazuyoshi
午菴 一賀
TSUKADA, Kazuya
塚田 和也
HOSHINO, Hideki
星野 秀樹
Title: 半導体ナノ粒子とその製造方法
Abstract:
 発光素子材料としての半導体ナノ粒子の光学特性を間接遷移型から直接遷移型に変換し、量子収率を向上させた半導体ナノ粒子及びその製造方法で、平均粒径が2~50nmの、表面が変性された半導体ナノ粒子であって、該半導体ナノ粒子についてのTaucプロットにより得られる接線の傾きが、該半導体ナノ粒子のコア部と同じ化学組成のバルク結晶についての該接線の傾きの2~5倍であることを特徴とする。