WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2008029915) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2008/029915    国際出願番号:    PCT/JP2007/067505
国際公開日: 13.03.2008 国際出願日: 07.09.2007
IPC:
H01S 5/323 (2006.01)
出願人: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHINAGAWA, Tatsuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHII, Hirotatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASUKAWA, Akihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHINAGAWA, Tatsuyuki; (JP).
ISHII, Hirotatsu; (JP).
KASUKAWA, Akihiko; (JP)
代理人: MATSUSHITA, Makoto; Apuri Shinyokohama Building 5F. 2-5-19, Shinyokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
2006-243576 08.09.2006 JP
2007-196606 27.07.2007 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor light emitting device comprising ZnO single-crystal substrate (12) having as a substrate face a crystal face of face orientation less influenced by piezoelectric field; lattice matching layer (13) superimposed on the substrate face of the ZnO single-crystal substrate (12) and lattice-matched to the ZnO single-crystal substrate; active layer (15) of gallium indium nitride [InxGa1-xN (0
(FR)L'invention concerne un dispositif d'émission de lumière à semiconducteur comprenant un substrat monocristallin de ZnO (12) possédant comme face de substrat une face cristalline d'une orientation de face moins influencée par un champ piézoélectrique, une couche d'adaptation au réseau cristallin (13) superposée sur la face de substrat du substrat monocristallin de ZnO (12) et adaptée au réseau cristallin sur le substrat monocristallin de ZnO, une couche active (15) de nitrure de gallium indium [InxGa1-xN (0
(JA) 本発明の半導体発光素子は、ピエゾ電界の影響を受けにくい面方位の結晶面を基板面としたZnO単結晶基板12と、ZnO単結晶基板12の基板面上に形成され、ZnO単結晶基板に格子整合された格子整合層13と、窒化ガリウムインジウム[InxGa1-x N (0<x<1)]からなる活性層15と、活性層15および格子整合層13のいずれかに格子整合された二つのクラッド層14、16とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)