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1. WO2007135940 - 半導体素子およびその製造方法

公開番号 WO/2007/135940
公開日 29.11.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/060108
国際出願日 17.05.2007
IPC
H01L 29/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/417 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
41その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
H01L 21/046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
0455Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
046using ion implantation
H01L 29/0696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0692Surface layout
0696of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
H01L 29/1608
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
1608Silicon carbide
H01L 29/41741
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41741for vertical or pseudo-vertical devices
H01L 29/66068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66053of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
66068the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
H01L 29/7802
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7801DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
7802Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 内田 正雄 UCHIDA, Masao (UsOnly)
  • 橋本 浩一 HASHIMOTO, Koichi (UsOnly)
  • 林 将志 HAYASHI, Masashi (UsOnly)
発明者
  • 内田 正雄 UCHIDA, Masao
  • 橋本 浩一 HASHIMOTO, Koichi
  • 林 将志 HAYASHI, Masashi
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA, Seiji
優先権情報
2006-13912818.05.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体素子およびその製造方法
要約
(EN)
A semiconductor element is provided with a semiconductor layer (10); a first conductivity type semiconductor region (15s) formed on a front surface (10s) of the semiconductor layer; a second conductivity type semiconductor region (14s) formed on the circumference of the first conductivity type semiconductor region (15s) on the front surface (10s) of the semiconductor layer; and a conductor (19) having a conductive surface (19s) which is brought into contact with the first conductivity type semiconductor region (15s) and the second conductivity type semiconductor region (14s). The semiconductor layer (10) includes silicon carbide, and at least the first conductivity type semiconductor region (15s) or the conductive surface (19s) is not circular. Each of the first conductivity type semiconductor region (15s) and the conductive surface (19s) has a shape wherein the length of a portion, which is of the profile of the conductive surface (19s) and traverses the first conductivity type semiconductor region (15s), smoothly changes as the shift quantity of alignment between the conductive surface (19s) and the first conductivity type semiconductor region (15s) increases from zero to 1/3 of the width of the conductive surface (19s).
(FR)
L'invention concerne un élément semi-conducteur avec une couche de semi-conducteur (10) ; une région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) formée sur une surface frontale (10s) de la couche de semi-conducteur ; une région de semi-conducteur du second type de conductivité (14s) formée sur la circonférence de la région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) sur la surface frontale (10s) de la couche de semi-conducteur ; et un conducteur (19) ayant une surface conductrice (19s) qui est mise en contact avec la région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) et la région de semi-conducteur du second type de conductivité (14s). La couche de semi-conducteur (10) inclut du carbure de silicium, et au moins la région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) ou la surface conductrice (19s) n'est pas circulaire. La région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) et la surface conductrice (19s) présentent une forme, où la longueur d'une partie, laquelle correspond au profil de la surface conductrice (19s) et traverse la région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s), varie légèrement alors que l'ampleur de décalage d'alignement entre la surface conductrice (19s) et la région de semi-conducteur du premier type de conductivité (15s) augmente de zéro à 1/3 de la largeur de la surface conductrice (19s).
(JA)
 半導体層10と、半導体層の表面10sに形成された第1導電型半導体領域15sと、半導体層の表面10sにおいて、第1導電型半導体領域15sの周囲に形成された第2導電型半導体領域14sと、第1導電型半導体領域15sおよび第2導電型半導体領域14sに接触する導電面19sを有する導電体19とを備えた半導体素子であって、半導体層10は炭化珪素を含み、第1導電型半導体領域15sおよび導電面19sのうち少なくとも一方は円ではなく、第1導電型半導体領域15sおよび導電面19sは、導電面19sと第1導電型半導体領域15sとの間の位置合わせのズレ量がゼロから導電面19sの幅の1/3まで増加するに従って、導電面19sの輪郭のうち第1導電型半導体領域15sを横切る部分の長さがなめらかに変化する形状をそれぞれ有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報