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1. WO2007129773 - III族窒化物化合物半導体積層構造体

公開番号 WO/2007/129773
公開日 15.11.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/059820
国際出願日 08.05.2007
IPC
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 16/02 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
02被覆される材料の前処理
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC
C23C 16/0272
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
02Pretreatment of the material to be coated
0272Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
C23C 16/303
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
301AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
303Nitrides
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02403
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
024Group 12/16 materials
02403Oxides
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
出願人
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 三木久幸 MIKI, Hisayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 酒井浩光 SAKAI, Hiromitsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 塙健三 HANAWA, Kenzo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 横山泰典 YOKOYAMA, Yasunori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 佐々木保正 SASAKI, Yasumasa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 加治亘章 KAJI, Hiroaki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 三木久幸 MIKI, Hisayuki
  • 酒井浩光 SAKAI, Hiromitsu
  • 塙健三 HANAWA, Kenzo
  • 横山泰典 YOKOYAMA, Yasunori
  • 佐々木保正 SASAKI, Yasumasa
  • 加治亘章 KAJI, Hiroaki
代理人
  • 青木篤 AOKI, Atsushi
優先権情報
2006-13153010.05.2006JP
2006-23186229.08.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE
(FR) STRUCTURE STRATIFIEE A SEMI-CONDUCTEUR EN COMPOSE DE NITRURE III
(JA) III族窒化物化合物半導体積層構造体
要約
(EN)
Provided is a III nitride compound semiconductor laminated structure wherein a III nitride compound semiconductor layer having stable and excellent crystallinity is laminated on a substrate of a different type. The III nitride compound semiconductor laminated structure is provided with a first layer composed of a III nitride compound semiconductor, and a second layer composed of a III nitride compound semiconductor in contact with the first layer, on a substrate. The first layer includes a columnar crystal having a clear crystal interface, at a density of 1x103 pieces/&mgr;m2 to 1x105 pieces/&mgr;m2.
(FR)
La présente invention concerne une structure stratifiée à semi-conducteurs en composé de nitrure III, dans laquelle une couche à semi-conducteurs en composé de nitrure III ayant une cristallinité excellente et stable est stratifiée sur un substrat d'un type différent. La structure stratifiée à semi-conducteurs en composé de nitrure III est munie d'une première couche constituée d'un semi-conducteur en composé de nitrure III et d'une seconde couche constituée d'un semi-conducteur en composé de nitrure III en contact avec la première couche, sur un substrat. La première couche comprend un cristal en colonne ayant une interface de cristal transparente, à une densité de 1x103 pièces/&mgr;m2 à 1x105 pièces/&mgr;m2.
(JA)
本発明の目的は、異種基板上に、安定して良好な結晶性のIII族窒化物化合物半導体層を積層したIII族窒化物化合物半導体積層構造体を得ることである。 本発明のIII族窒化物化合物半導体積層構造体は、基板上に、III族窒化物化合物半導体からなる第一の層と、該第一の層に接するIII族窒化物化合物半導体からなる第二の層を備えており、該第一の層は結晶界面が明瞭な柱状結晶を含んでおり、その密度が1×103個/μm2~1×105個/μm2であることを特徴とするIII族窒化物化合物半導体積層構造体である。
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