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1. (WO2007119830) 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法およびランプ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/119830    国際出願番号:    PCT/JP2007/058193
国際公開日: 25.10.2007 国際出願日: 13.04.2007
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUNAGA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUNAGA, Naoki; (JP).
OSAWA, Hiroshi; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2006-112012 14.04.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LAMP
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, MÉTHODE POUR FABRIQUER DES ÉLÉMENTS ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET LAMPE
(JA) 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法およびランプ
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a semiconductor light emitting element which can output ultraviolet light efficiently, and to provide its fabrication method. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A semiconductor light emitting element (1) comprises a semiconductor layer including a p-type semiconductor layer (14) and having an emission wavelength at least in the ultraviolet region, and a translucent electrode (15) provided on the p-type semiconductor layer (14). In the semiconductor light emitting element (1), the translucent electrode (15) includes a crystallized IZO film.
(FR)[PROBLÈMES] L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur, lequel peut générer de façon efficace de la lumière ultraviolette et fournit sa méthode de fabrication. [MÉTHODE DE RÉSOLUTION DES PROBLÈMES] Un élément électroluminescent à semi-conducteur (1) comprend une couche semi-conductrice qui inclut une couche semi-conductrice de type p (14) et qui a une longueur d'onde d'émission au moins dans la région d'ultraviolets et une électrode translucide (15), fournie sur la couche semi-conductrice de type p (14). Dans l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (1), l'électrode translucide (15) inclut une pellicule d'oxyde d'indium et de zinc cristallisée.
(JA)【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】p型半導体層14を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記p型半導体層14上に設けられた透光性電極15とを備え、前記透光性電極15が、結晶化されたIZO膜を含むものである半導体発光素子1とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)