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1. (WO2007119733) 抵抗変化素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/119733    国際出願番号:    PCT/JP2007/057947
国際公開日: 25.10.2007 国際出願日: 11.04.2007
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMURA, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIOKA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUU, Koukou [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKUCHI, Shin; (JP).
KIMURA, Isao; (JP).
NISHIOKA, Yutaka; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
代理人: ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg. 3F, 1-2-18, Toranomon Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-111034 13.04.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FABRICATING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化素子の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To fabricate a variable resistance element that is excellent as a capacitor-structured memory element. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A resistance layer (15) in an amorphous state is formed by keeping the resistance layer (15) at a temperature lower than 100 °C during film formation. Since the resistance layer (15) formed as a film by this invention does not include an fcc crystalline phase, if the resistance layer (15) in a crystalline state is heated to at least its melting point and then rapidly cooled down, the entire resistance layer is returned to the amorphous state. In addition, the resistance layer (15) formed as a film by this invention has a uniform resistivity distribution when it is crystallized. Accordingly, a variable resistance element (10) fabricated by this invention is excellent in the characteristics as a capacitor-structured memory element.
(FR)[PROBLÈMES] Fabriquer un élément à résistance variable qui est un excellent élément de mémoire à structure de condensateur. [MOYENS DE RÉSOUDRE LES PROBLÈMES] Une couche de résistance (15) dans un état amorphe est formée en maintenant la couche de résistance (15) à une température inférieure à 100°C pendant la formation du film. Puisque la couche de résistance (15) formée comme un film par la présente invention ne comprend pas de phase cristalline fcc, si la couche de résistance (15) dans un état cristallin est chauffée au moins jusqu'à son point de fusion et refroidie ensuite rapidement, l'ensemble de la couche de résistance revient dans l'état amorphe. En outre, la couche de résistance (15) formée comme un film par la présente invention a une répartition de résistivité uniforme lorsqu'elle est cristallisée. En conséquence, un élément de résistance variable (10) fabriqué par la présente invention a d'excellentes caractéristiques en tant qu'élément de mémoire à structure de condensateur.
(JA)【課題】容量記憶素子として優れた抵抗変化素子を製造する。 【解決手段】成膜中の抵抗層15を100°C未満に保つことで、非晶質からなる抵抗層15が形成される。本発明により成膜された抵抗層15はfccの結晶相を含有しないので、結晶化した抵抗層15を融点以上に加熱してから急冷すると、全て非晶質に戻る。また、本発明により成膜された抵抗層15は、結晶化した時の低効率分布が均一になる。従って、本発明により製造された抵抗変化素子10は容量記憶素子としての特性に優れている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)