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1. (WO2007119703) 結晶性有機半導体薄膜の製造方法、有機半導体薄膜、電子デバイスおよび薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/119703 国際出願番号: PCT/JP2007/057818
国際公開日: 25.10.2007 国際出願日: 09.04.2007
IPC:
H01L 51/40 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
平井 桂 HIRAI, Katsura [JP/JP]; JP (UsOnly)
杉崎 礼子 SUGISAKI, Reiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
コニカミノルタホールディングス株式会社 Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 Tokyo 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
発明者:
平井 桂 HIRAI, Katsura; JP
杉崎 礼子 SUGISAKI, Reiko; JP
優先権情報:
2006-11167714.04.2006JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE MINCE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE CRISTALLINE, MINCE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 結晶性有機半導体薄膜の製造方法、有機半導体薄膜、電子デバイスおよび薄膜トランジスタ
要約:
(EN) Disclosed is a method for producing a crystalline organic semiconductor thin film having high carrier mobility with excellent productivity, wherein a good crystalline thin film can be easily produced by continuously forming a coating film. Also disclosed are a crystalline organic semiconductor thin film produced by such a method, and an electronic device and an organic thin film transistor respectively using such a crystalline organic semiconductor thin film. The crystalline organic semiconductor thin film and the production method thereof are characterized in that a coating film of an organic semiconductor solution is formed on a substrate and then a crystalline organic semiconductor thin film is grown on the edge of the coating film.
(FR) Il est décrit un procédé de production d'une mince couche semi-conductrice organique cristalline ayant une mobilité de porteur de charge élevée avec une excellente productivité, dans lequel une couche mince cristalline de bonne qualité peut être facilement produite en formant en continu un film de protection. Il est également décrit une mince couche semi-conductrice organique cristalline produite par un tel procédé, et un dispositif électronique et un transistor à couches minces organiques utilisant respectivement une telle couche mince semi-conductrice organique cristalline. La mince couche semi-conductrice organique cristalline et le procédé de production de celle-ci sont caractérisés en ce qu'un film de protection d'une solution semi-conductrice organique est formé sur un substrat et ensuite, une mince couche semi-conductrice organique cristalline est développée sur le bord du film de protection.
(JA)  本発明は、連続的に塗布膜を形成することによって、簡便に良好な結晶性薄膜を形成する、生産性に優れたキャリア移動度の高い結晶性有機半導体薄膜の製造方法を得ることにあり、これを用いた結晶性有機半導体薄膜及び該結晶性有機半導体薄膜を用いた電子デバイス、有機薄膜トランジスタを提供する。この結晶性有機半導体薄膜及びその製造方法は、基板上に有機半導体溶液塗膜を形成したのち、該有機半導体溶液塗膜の端部にて結晶性有機半導体薄膜を成長して形成されることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)