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1. (WO2007119643) 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/119643    国際出願番号:    PCT/JP2007/057379
国際公開日: 25.10.2007 国際出願日: 02.04.2007
IPC:
H03H 9/17 (2006.01), H01L 41/083 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 41/29 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01), H03H 3/02 (2006.01)
出願人: UBE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1978-96, Oaza Kogushi Ube-shi, Yamaguchi 7558633 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAO, Keigo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA, Tetsuo; (JP).
NAGAO, Keigo; (JP)
代理人: YAMASHITA, Johei; YAMASHITA & ASSOCIATES Toranomon 40th MT Bldg. 1-3-1, Toranomon 5-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2006-097025 31.03.2006 JP
発明の名称: (EN) FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR, PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE
(FR) résonateur acoustique DE VOLUME en couche mince, dispositif piézoélectrique en couche mince et méthode de fabrication du dispositif piézoélectrique en couche mince
(JA) 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)A film bulk acoustic resonator (10) includes substrates (11, 12) having an oscillation space (20), and a piezoelectric laminated structure (14) arranged to face the oscillation space (20). The piezoelectric laminated structure (14) is provided with at least a lower electrode (15), a piezoelectric thin film (16) and an upper electrode (17), which are arranged in sequence from the side close to the oscillation space (20). A lower insulating layer (13) is formed in contact with the lower surface of the lower electrode (15), and an upper insulating layer (23) is formed in contact with the lower surface of the upper electrode (17). A side spacer (26) made of a material different from that of the electrode is arranged on the outer circumference of the lower electrode (15) and the upper electrode (17). A step on an interface between the side spacer (26) and the electrodes (15, 17) is less than 25nm. The piezoelectric thin film (16) is composed of aluminum nitride. The acoustic impedance of the side spacer (26) is larger than the acoustic impedances of the electrodes (15, 17).
(FR)L'invention concerne un résonateur acoustique de volume en couche mince (10) qui inclut des substrats (11, 12) présentant un espace d'oscillation (20), et une structure stratifiée piézoélectrique (14) disposée de façon à faire face à l'espace d'oscillation (20). La structure stratifiée piézoélectrique (14) est munie d'au moins une électrode inférieure (15), d'une couche mince piézoélectrique (16) et d'une électrode supérieure (17), qui sont disposées en séquence à partir du côté proche de l'espace d'oscillation (20). Une couche isolante inférieure (13) est placée au contact de la surface inférieure de l'électrode inférieure (15), et une couche isolante supérieure (23) est placée au contact de la surface inférieure de l'électrode supérieure (17). Un dispositif d'espacement latéral (26) fait de matériaux différents de ceux de l'électrode est disposé sur la circonférence extérieure de l'électrode inférieure (15) et de l'électrode supérieure (17). Un espace à l'interface entre le dispositif d'espacement latéral (26) et les électrodes (15, 17) est inférieur à 25nm. La couche mince piézoélectrique (16) est composée de nitrure d'aluminium. L'impédance acoustique du dispositif d'espacement latéral (26) est supérieure aux impédances acoustiques des électrodes (15, 17).
(JA) 圧電薄膜共振子(10)は、振動空間(20)を有する基板(11,12)と、振動空間(20)に面するように配置された圧電積層構造体(14)とを含む。圧電積層構造体(14)は、振動空間(20)に近い側から順に配置された下部電極(15)、圧電薄膜(16)および上部電極(17)を少なくとも有する。下部電極(15)の下面に接して下部絶縁層(13)が形成されており、上部電極(17)の下面に接して上部絶縁層(23)が形成されている。下部電極(15)および上部電極(17)の外周部の周囲に、電極とは材質の異なるサイドスペーサー(26)が配置されている。サイドスペーサー(26)と電極(15,17)との界面における段差は25nm未満である。圧電薄膜(16)は窒化アルミニウムからなる。サイドスペーサー(26)の音響インピーダンスは電極(15,17)の音響インピーダンスよりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)