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1. (WO2007119619) GaN系半導体発光素子およびランプ

Pub. No.:    WO/2007/119619    International Application No.:    PCT/JP2007/057159
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 33/12
H01L 33/22
H01L 33/24
H01L 33/32
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
OSAWA, Hiroshi
大澤 弘
SHINOHARA, Hironao
篠原 裕直
Inventors: OSAWA, Hiroshi
大澤 弘
SHINOHARA, Hironao
篠原 裕直
Title: GaN系半導体発光素子およびランプ
Abstract:
発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプが提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法では、 凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を有するGaN系半導体発光素子の製造方法において、前記バッファー層を揺動式マグネトロン磁気回路を有するスパッタ装置を用いたスパッタ法により成膜する。また、前記バッファー層をAlN、ZnO、Mg、Hfで形成する。