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1. (WO2007119497) 透明導電性膜およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/119497    国際出願番号:    PCT/JP2007/055935
国際公開日: 25.10.2007 国際出願日: 15.03.2007
IPC:
H01B 5/14 (2006.01), C01G 19/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATTORI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEGAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIGESATO, Yuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATTORI, Takeshi; (JP).
HASEGAWA, Akira; (JP).
SHIGESATO, Yuzo; (JP)
代理人: ENOMOTO, Masayuki; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
優先権情報:
2006-072569 16.03.2006 JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CE DERNIER
(JA) 透明導電性膜およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a transparent conductive film having excellent electrical conductivity and etching properties. Also disclosed is a method for producing the transparent conductive film. The transparent conductive film contains Zn, Sn and O, wherein the molar ratio of Zn to the sum total of Zn and Sn (Zn/(Zn+Sn)) is 0.41 to 0.55. The transparent conductive film is amorphous. The method comprises the step of spattering a sintered body (a target) in an inert gas atmosphere, wherein the sintered body contains Zn, Sn and O and the molar ratio of Zn to the sum total of Zn and Sn (Zn/(Zn+Sn)) in the sintered body is 0.53 to 0.65.
(FR)L'invention concerne un film conducteur transparent présentant une conductivité électrique et des propriétés de gravure excellentes. L'invention concerne également un procédé de production du film conducteur transparent. Le film conducteur transparent contient du Zn, du Sn et de l'O, le rapport molaire de Zn sur la somme totale de Zn et de Sn (Zn/(Zn+Sn)) étant compris entre 0,41 et 0,55. Le film conducteur transparent est amorphe. Le procédé comprend les étapes consistant à amincir par arrachement ionique un corps fritté (une cible) dans une atmosphère de gaz inerte, le corps fritté contenant du Zn, du Sn et de l'O et le rapport molaire du Zn sur la somme totale de Zn et de Sn (Zn/(Zn+Sn)) dans le corps fritté étant compris entre 0,53 et 0, 65.
(JA)本発明は導電性およびエッチング特性に優れる透明導電性膜およびその製造方法を提供する。透明導電性膜はZn、SnおよびOを含み、ZnとSnの合計に対するZnのモル比Zn/(Zn+Sn)が0.41~0.55であり、非晶質である。透明導電性膜の製造方法は、Zn、SnおよびOを含み、ZnとSnの合計に対するZnのモル比Zn/(Zn+Sn)が0.53~0.65である焼結体をターゲットとして用い、不活性ガス雰囲気下でスパッタリングする工程を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)