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1. (WO2007117035) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

Pub. No.:    WO/2007/117035    International Application No.:    PCT/JP2007/058071
Publication Date: Fri Oct 19 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 33/44
H01L 21/28
H01L 33/06
H01L 33/10
H01L 33/32
H01L 33/38
H01L 33/42
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
SAKAI, Mitsuhiko
酒井 光彦
Inventors: SAKAI, Mitsuhiko
酒井 光彦
Title: 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
Abstract:
 本発明に係る窒化物半導体発光素子は、支持基板170と、支持基板170上に設けられたp型窒化物半導体層140と、該p型窒化物半導体層140上に設けられたMQW活性層130と、該MQW活性層130上に設けられたn型窒化物半導体層120とからなる窒化物半導体層100と、n型窒化物半導体層120上に設けられたコンタクト電極161と、コンタクト電極161上に設けられた光透過性の第2透明電極165と、支持基板170上に設けられ、第2透明電極165と電気的に接続されている第2パッド電極166とを備え、MQW活性層130の主面に対して平行な面である投影面Sにおいて、MQW活性層130の主面が投影された領域と第2パッド電極166が投影された領域とが重ならない。