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1. (WO2007116851) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Pub. No.:    WO/2007/116851    International Application No.:    PCT/JP2007/057354
Publication Date: Fri Oct 19 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Wed Mar 28 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 21/302
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
NISHIMURA, Eiichi
西村 栄一
Inventors: NISHIMURA, Eiichi
西村 栄一
Title: 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
Abstract:
配置の自由度が高く、酸化物層を効率良く除去することができる基板処理装置を提供する。第2のプロセスシップ12の第2のプロセスユニット34は、SiO2層123を有するデポジット膜126が形成されたウエハWを収容するチャンバ38と、該チャンバ38内に配置され且つウエハWを載置するESC39と、該ESC39と対向するように配置されたシャワーヘッド40のヒータ103と、ESC39の上面から突出自在な複数のプッシャーピン56と、チャンバ38内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給系105と、チャンバ38内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給系127とを備え、プッシャーピン56は、SiO2層123、アンモニアガス及び弗化水素ガスから生成物が表面に生成されたウエハWをヒータ103の近傍に移動する。