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1. (WO2007116768) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Pub. No.:    WO/2007/116768    International Application No.:    PCT/JP2007/056499
Publication Date: Fri Oct 19 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Wed Mar 28 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 21/205
C23C 16/44
H01L 21/31
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社日立国際電気
NAKASHIMA, Sadao
中嶋 定夫
MAEDA, Takahiro
前田 孝浩
MAEDA, Kiyohiko
前田 喜世彦
KAMEDA, Kenji
亀田 賢治
TAKASAWA, Yushin
高澤 裕真
Inventors: NAKASHIMA, Sadao
中嶋 定夫
MAEDA, Takahiro
前田 孝浩
MAEDA, Kiyohiko
前田 喜世彦
KAMEDA, Kenji
亀田 賢治
TAKASAWA, Yushin
高澤 裕真
Title: 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Abstract:
基板を処理室内に搬入する工程と、形成する薄膜を構成する複数の元素のうちの少なくとも1つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることのできる第1成膜ガス及び前記複数の元素のうちの他の少なくとも1つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることのできない第2成膜ガスを前記処理室内に供給し、基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記処理室内および前記第1成膜ガスを供給する供給部内にクリーニングガスを供給するとともに、前記処理室内に供給するクリーニングガスと、前記供給部内に供給するクリーニングガスとの供給流量、濃度、及び種類の少なくともいずれか一つを異ならせて、前記処理室内に付着した第1堆積物、及び前記供給部内に付着し、第1堆積物と化学組成が異なる第2堆積物を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。