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1. (WO2007116562) 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/116562    国際出願番号:    PCT/JP2006/324368
国際公開日: 18.10.2007 国際出願日: 06.12.2006
IPC:
G03F 1/22 (2012.01), G03F 1/24 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUO, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANAYAMA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAMURA, Shinpei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUO, Tadashi; (JP).
KANAYAMA, Koichiro; (JP).
TAMURA, Shinpei; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2006-093304 30.03.2006 JP
2006-251160 15.09.2006 JP
発明の名称: (EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, REFLECTIVE PHOTOMASK AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DECOUPE DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE REFLECHISSANT, PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI, MASQUE PHOTOGRAPHIQUE REFLECHISSANT ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Reflective photomask blank (10) comprising substratum (1); multilayer reflective film (2) capable of exposure light reflection superimposed on the substratum (1); protective film (3) for protecting the multilayer reflective film (2), superimposed on the multilayer reflective film (2); absorber layer (5) for absorbing of exposure light on the protective film (3); and buffer film (4) interposed between the absorber layer (5) and the protective film (3) and being resistant to etching conducted at the time of exposure transfer pattern formation on the absorber layer (5), wherein the protective film (3) consists of a compound containing Zr and Si, or a compound containing Zr and Si and at least either O or N, or an elemental substance or compound containing at least any one of Ru, C and Y.
(FR)La présente invention concerne une découpe de masque photographique (10) comprenant un substrat (1) ; un film réfléchissant multicouche (2) en mesure de réfléchir une lumière d'exposition superposé sur le substrat (1) ; un film de protection (3) pour protéger le film réfléchissant (2), superposé sur ce dernier (2) ; une couche absorbante (5) pour absorber une lumière d'exposition sur le film de protection (3) ; et un film tampon (4) intercalé entre la couche absorbante (5) et le film de protection (3) et résistant à la gravure effectuée au moment de la formation d'un motif de transfert d'exposition sur la couche absorbante (5), ledit film de protection (3) consistant en un composé contenant Zr et Si, ou un composé contenant Zr et Si et au moins O ou N, ou une substance élémentaire ou composé contenant au moins un parmi Ru, C et Y.
(JA) 反射型フォトマスクブランク(10)は、基板(1)と、基板(1)上に形成され、露光光を反射する多層反射膜(2)と、多層反射膜(2)上に形成され、多層反射膜(2)を保護する保護膜(3)と、保護膜(3)上で、露光光を吸収する吸収体層(5)と、吸収体層(5)と保護膜(3)との間に形成され、吸収体層(5)の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜(4)とを備え、保護膜(3)は、ZrとSiとを含んだ化合物、または、Zr及びSiと、O若しくはNのうちの少なくともいずれか1つとを含む化合物、または、Ru、C、若しくはYのうち少なくともいずれか1つを含む単体若しくは化合物である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)