国際・国内特許データベース検索

1. (WO2007116470) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2007/116470    International Application No.:    PCT/JP2006/306850
Publication Date: Fri Oct 19 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2006
IPC: H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
YAMAGUCHI, Masaomi
山口 正臣
MISHIMA, Yasuyoshi
三島 康由
Inventors: YAMAGUCHI, Masaomi
山口 正臣
MISHIMA, Yasuyoshi
三島 康由
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
 シリコン基板26上に、HfSiO膜36を形成する工程と、HfSiO膜36をNH3ガスに曝すことにより、HfSiO膜36を窒化し、HfSiON膜38を形成する工程と、HfSiON膜38上に、HfSiO膜40を形成する工程と、HfSiO膜40の表面にAlを付着させることにより、HfSiO膜40の表面にAl付着層58を形成する工程と、Al付着層58が表面に形成されたHfSiO膜40上に、ポリシリコン膜42を形成する工程とを有している。