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1. (WO2007116463) 半導体装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/116463    国際出願番号:    PCT/JP2006/306823
国際公開日: 18.10.2007 国際出願日: 31.03.2006
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOKUYO, Shino [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUDA, Shoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUURA, Azuma [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TOKUYO, Shino; (JP).
SUDA, Shoichi; (JP).
MATSUURA, Azuma; (JP).
SATO, Hiroyuki; (JP)
代理人: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1600015 (JP)
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device comprising a support substrate (10), a multi-layered wiring structure formed on the support substrate and having a plurality of wiring lines (36, 42, 48, 54, 60 and 66) laminated through insulating layers (26, 28, 38, 44, 50, 56, 62 and 68), an electrode pad (78) formed on the multi-layered wiring structure, and a structure of a cross-shaped or Y-shaped section reaching the support substrate through the multi-layered wiring structure for supporting the electrode pad. The electrode pad is supported by the cross-shaped or Y-shaped section structure so that a constituent element existing below the electrode pad can be freed, when bonded, from a serious stress. Even if, therefore, an interlayer insulating film having a relatively low mechanical strength is used at a portion of the multi-layered wiring structure, it is possible to prevent the breakage or the like of a transistor, such as the deformation or breakage of a fine wiring pattern, thereby to provide a semiconductor device having high integration and reliability.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant un substrat (10) servant de support, une structure de connexion multicouche formée sur le substrat de support et comportant une pluralité de lignes de connexion (36, 42, 48, 54, 60 et 66) laminées entre des couches isolantes (26, 28, 38, 44, 50, 56, 62 et 68), une pastille électrode (78) formée sur la structure de connexion multicouche et une structure de section en forme de croix ou de Y, qui atteint le substrat de support à travers la structure de connexion multicouche, pour porter la pastille électrode. La pastille électrode est portée par la structure de section en forme de croix ou de Y de telle façon qu'un élément constitutif existant en dessous de la pastille électrode peut être libéré, s'il est attaché, de toute pression importante. Ainsi, même si on utilise une couche intermédiaire isolante ayant une résistance mécanique relativement faible à un endroit quelconque de la structure de connexion multicouche, on peut empêcher la rupture d'un transistor de casser ou un problème similaire comme la déformation ou la rupture d'un motif de connexion fin, ce qui permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteurs ayant un fort degré d'intégration et une excellent fiabilité.
(JA) 支持基板10と、支持基板上に形成され、絶縁層26,28,38,44,50,56,62,68を介して複数の配線36,42,48,54,60,66を積層して成る多層配線構造と、多層配線構造上に形成された電極パッド78と、多層配線構造を貫いて支持基板に達し、電極パッドを支持する構造物76であって、断面が十字形又はY字形である構造物とを有している。断面が十字形又はY字形の構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができる。このため、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができ、集積度が高く信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)