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1. (WO2007116445) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/116445 国際出願番号: PCT/JP2006/306679
国際公開日: 18.10.2007 国際出願日: 30.03.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
出願人: WANG, Wensheng[CN/JP]; JP (UsOnly)
FUJITSU LIMITED[JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
発明者: WANG, Wensheng; JP
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR LE RÉALISER
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN) A ferroelectric memory is constituted to comprise a capacitor formed over a semiconductor substrate (61) and having a ferroelectric film (78) clamped between a lower electrode (77) and an upper electrode (79), a W-plug (72b) electrically connected on its upper face with the lower electrode (77), and a self-oriented protecting film (76) formed between the W-plug (72b) and the lower electrode (77) and made of at least one kind of a conductive oxide, a conductive nitride and a conductive oxide-nitride. That protective film (76) prevents the orientation of the lower electrode (77) from depending on the W-plug (72b), thereby to homogenize the orientation of the lower electrode (77). As a result, it is possible to homogenize the orientation of the ferroelectric film (78) to be formed over the lower electrode (77), thereby to improve the electric characteristics of the ferroelectric capacitor.
(FR) Selon l'invention, une mémoire ferro-électrique est constituée pour comprendre un condensateur formé sur un substrat semi-conducteur (61) et présentant un film ferro-électrique (78) enserré entre une électrode inférieure (77) et une électrode supérieure (79), une fiche W (72b) connectée électriquement sur sa surface supérieure à l'électrode inférieure (77), et un film protecteur à orientation automatique (76) formé entre la fiche W (72b) et l'électrode inférieure (77) et fait d'au moins un type d'oxyde conducteur, de nitrure conducteur et d'oxyde-nitrure conducteur. Ce film protecteur (76) empêche l'orientation de l'électrode inférieure (77) de se faire en fonction de la fiche W (72b), ce qui permet d'homogénéiser l'orientation de l'électrode inférieure (77). En conséquence, il est possible d'homogénéiser l'orientation du film ferro-électrique (78) à former sur l'électrode inférieure (77), et ainsi d'améliorer les propriétés électriques du condensateur ferro-électrique.
(JA)  強誘電体メモリは、半導体基板(61)の上方に形成され、下部電極(77)と上部電極(79)との間に強誘電体膜(78)が挟持されてなるキャパシタと、下部電極(77)と上面で電気的接続されてなるWプラグ(72b)と、Wプラグ(72b)と下部電極(77)との間に形成された、導電性酸化物、導電性窒化物及び導電性酸窒化物のうちの少なくともいずれか1種からなる自己配向した保護膜(76)とを具備して構成されている。この保護膜(76)は、下部電極(77)の配向がWプラグ(72b)に依存したものになることを遮断し、下部電極(77)の配向を均一にする。これにより、下部電極(77)上に形成される強誘電体膜(78)の配向を均一にすることができるため、強誘電体キャパシタの電気的特性の向上を図ることが可能となる。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)