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1. (WO2007116443) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/116443    国際出願番号:    PCT/JP2006/306665
国際公開日: 18.10.2007 国際出願日: 30.03.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 163-0722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKUCHI, Hideaki; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A hydrogen-occluding conductive material having the property of absorbing hydrogen is used in combination with hydrogen diffusion preventive films (23, 27, 28) in order to prevent, without fail, hydrogen generated from coming into a ferroelectric film (25). The hydrogen-occluding conductive material or a conductive material containing it, palladium (Pd) in this case, is deposited on an interlayer dielectric (33) so as to fill via-holes (34a, 35a) through glue films (34b, 35b). CMP is then conducted to form plugs (34, 35). This relatively simple constitution prevents the penetration of water/hydrogen into inner parts without fail and enables a ferroelectric capacitor structure (30) to retain high performance. This can be realized without the need of increasing the number of constituent members and the number of steps.
(FR)L'invention concerne un matériau conducteur empêchant le passage d'hydrogène, présentant la capacité d'absorber l'hydrogène, utilisé en combinaison avec des couches (23, 27, 28) bloquant la diffusion d'hydrogène, afin d'empêcher de manière parfaitement sûre l'hydrogène généré d'atteindre la couche ferroélectrique (25). On dépose ce matériau conducteur empêchant le passage d'hydrogène, ou un matériau conducteur contenant ce matériau, en l'occurrence du palladium (PC), sur un diélectrique (33) intermédiaire de manière à remplir les trous d'interconnexion (34a, 35a) par des couches d'adhérence (34b, 35b). On effectue ensuite un processus CMP pour former des obturations (34, 35). Cette construction relativement simple permet d'empêcher de manière sûre la pénétration d'eau/hydrogène dans les parties interne, et permet ainsi à la structure (30) de condensateur ferroélectrique de conserver une performance élevée. Elle peut être réalisée sans augmentation du nombre de composants et du nombre d'étapes.
(JA) 水素拡散防止膜(23,27,28)と相俟って、発生した水素の強誘電体膜(25)への浸入を確実に防止すべく、水素を吸収する性質を持つ水素吸蔵性導電材料を用いて、グルー膜(34b,35b)を介してビア孔(34a,35a)を埋め込むように、層間絶縁膜(33)上に当該水素吸蔵性導電材料又はこれを含む導電材料、ここではパラジウム(Pd)を堆積し、CMPを実行することにより、プラグ(34,35)を形成する。この構成により、比較的簡易な構成で水・水素の内部侵入を確実に防止し、強誘電体キャパシタ構造(30)の高性能を保持することを可能とし、しかもこれを構成部材数及び工程数を増加させることなく実現することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)