JP2006306625 強誘電体素子を有する半導体装置

1. (WO2007116433) 強誘電体素子を有する半導体装置

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国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:		WO/2007/116433		国際出願番号:		PCT/JP2006/306625
国際公開日:		18.10.2007		国際出願日:		30.03.2006

IPC:

H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)

出願人:

FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WANG, Wensheng [CN/JP]; (JP) (米国のみ)

発明者:

KIKUCHI, Hideaki; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP).
WANG, Wensheng; (JP)

代理人:

DOI, Kenji; Hayashi, Doi & Associates 3rd Floor, Toshou-Bldg. No.3 3-9-5, Shin-yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2220033 (JP)

優先権情報:

発明の名称:

(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FERROELECTRIC ELEMENT
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN ÉLÉMENT FERROÉLECTRIQUE
(JA) 強誘電体素子を有する半導体装置

要約:

(EN)A semiconductor device having a ferroelectric film, comprising a first conductive layer, an interlayer insulating film superimposed on the first conductive layer and a second conductive layer superimposed on the interlayer insulating film, wherein within the interlayer insulating film, there are disposed multiple block layers capable of inhibiting of hydrogen or moisture migration. There is provided a contact plug fitted to the interlayer insulating film and effecting connection between the first and second conductive layers, which contact plug is furnished with a glue layer including a titanium film and a metal nitride film or metal silicide film and, superimposed on the glue layer, a tungsten plug layer. The glue layer enhances the adhesion with side wall of the interlayer insulating film and also enhances the mechanical strength thereof, so that there can be inhibited release of hydrogen gas from the side wall of the interlayer insulating film and suppressed failure of the contact plug.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur pourvu d'une couche ferroélectrique, comprenant une première couche conductrice, une couche intermédiaire isolante recouvrant la première couche conductrice et une seconde couche conductrice recouvrant la couche isolante intermédiaire. La couche isolante intermédiaire contient une pluralité de couches de blocage empêchant la migration de l'hydrogène ou de l'humidité. Un élément de contact est inséré dans la couche isolante intermédiaire, et connecte la première et la seconde couche conductrice, cet élément de contact étant recouvert d'une couche d'adhérence formée d'un film de titane et d'un film de nitrure métallique ou d'un film de siliciure métallique, et d'un revêtement de tungstène superposé à la couche d'adhérence. La couche d'adhérence améliore l'adhérence avec la paroi latérale de la couche d'isolation intermédiaire, ainsi que la résistance mécanique de celle-ci, de manière à empêcher la libération d'hydrogène gazeux à partir de la paroi latérale de la couche isolante intermédiaire, et de supprimer ainsi les défaillances de l'élément de contact.
(JA)　強誘電体膜を有する半導体装置において，第１の導電層と，第１の導電層の上に形成された層間絶縁膜と，層間絶縁膜上に形成された第２の導電層とを有し，層間絶縁膜内に複数の水素または水分の移動を抑制するブロック層が形成される。そして，層間絶縁膜に形成され第１及び第２の導電層間を接続するコンタクトプラグが，チタン膜と金属窒化膜または金属シリサイド膜とを含むグルー層と当該グルー層上に形成されたタングステンプラグ層とを有する。グルー層により層間絶縁膜の側壁との密着性が向上し機械的強度が向上するので，層間絶縁膜の側壁からの水素ガスの放出を抑制し，コンタクトプラグの不良を抑制することができる。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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