WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2007114448) デバイス基板の洗浄方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/114448    国際出願番号:    PCT/JP2007/057497
国際公開日: 11.10.2007 国際出願日: 03.04.2007
G03F 7/42 (2006.01), C11D 7/50 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630431 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAMOTO, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAMATSU, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKAMOTO, Hidekazu; (JP).
NAMATSU, Hideo; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square 17, Kanda-konyacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
2006-104187 05.04.2006 JP
(FR) Procédé de lavage du substrat d'un dispositif
(JA) デバイス基板の洗浄方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a device substrate washing method which can fully remove a resist attached to a device substrate, particularly a resist attached to a perforated part of a fine pattern which has a large aspect ratio. The method comprises a washing step for removing a resist attached to a device substrate with a solvent, wherein the solvent is a composition comprising at least one fluorinated compound selected from the group consisting of hydrofluoroether, hydrofluorocarbon and perfluorocarbon and a fluorinated alcohol.
(FR)L'invention concerne un procédé de lavage du substrat d'un dispositif qui permet d'éliminer entièrement une résine photosensible attachée au substrat d'un dispositif, en particulier une résine photosensible attachée à une partie perforée d'un motif fin qui présente un rapport de forme élevé. Le procédé comprend une étape de lavage permettant d'éliminer une résine photosensible attachée au substrat d'un dispositif avec un solvant, le solvant étant une composition comprenant au moins un composé fluoré choisi dans le groupe constitué par les hydrofluoroéthers, les hydrofluorocarbones et les perfluorocarbones, et un alcool fluoré.
(JA) 本発明は、デバイス基板に付着しているレジスト、特にアスペクト比の大きい微細なパターンの孔部に付着したレジストを十分に除去し得るデバイス基板の洗浄方法を提供する。  溶剤を用いてデバイス基板に付着しているレジストを除去する洗浄工程を備えるデバイス基板の洗浄方法であって、前記溶剤が、ハイドロフルオロエーテル、ハイドロフルオロカーボンおよびパーフルオロカーボンからなる群から選択される少なくとも1種の含フッ素化合物と、含フッ素アルコールとを含有する組成物であるデバイス基板の洗浄方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)