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1. (WO2007114428) スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/114428 国際出願番号: PCT/JP2007/057400
国際公開日: 11.10.2007 国際出願日: 02.04.2007
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
出願人: TAKAHASHI, Seiichiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
MIYASHITA, Norihiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.[JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP (AllExceptUS)
発明者: TAKAHASHI, Seiichiro; JP
MIYASHITA, Norihiko; JP
代理人: KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office Iwasaki Bldg. 6F 3-15, Hiroo 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500012, JP
優先権情報:
2006-10120231.03.2006JP
2007-09578430.03.2007JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED BODY
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS FRITTÉ EN OXYDE
(JA) スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法
要約:
(EN) Provided is a sputtering target for forming a transparent conductive film, which has low resistivity and excellent transparency, can be relatively easily patterned in amorphous state by weak acid etching and relatively easily crystallized. A method for manufacturing an oxide sintered body is also provided. The sputtering target is provided for forming the amorphous–state transparent conductive film. The sputtering target is provided with the oxide sintered body containing indium oxide, tin, if needed, and barium.
(FR) Cible de pulvérisation pour la formation de film conducteur transparent à faible résistivité et excellente transparence, qui peut prendre des motifs relativement facilement à l'état amorphe sous attaque à l'acide faible et de cristallisation relativement aisée. Procédé de fabrication de corps fritté en oxyde. La cible est fournie pour la formation du film conducteur transparent à l'état amorphe. Elle est fournie avec le corps fritté en oxyde contenant de l'oxyde d'indium, de l'étain, le cas échéant, et du baryum.
(JA) 低抵抗で透明性に優れ、アモルファスで弱酸エッチングにより比較的容易にパターニングでき且つ比較的容易に結晶化できる透明導電膜を成膜するためのスパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法を提供する。 アモルファス状態の透明導電膜を形成するスパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する酸化物焼結体を具備する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)