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1. (WO2007114328) 半導体記憶装置

Pub. No.:    WO/2007/114328    International Application No.:    PCT/JP2007/057079
Publication Date: Fri Oct 12 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2007
IPC: H01L 21/8242
G11C 11/401
G11C 11/4097
H01L 27/10
H01L 27/108
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
松下電器産業株式会社
HIROSE, Masanobu
廣瀬 雅庸
Inventors: HIROSE, Masanobu
廣瀬 雅庸
Title: 半導体記憶装置
Abstract:
 一例の半導体記憶装置は、半導体基板上形成された1箇所のN型の拡散層ODごとに、ワード線WLまたはビット線選択線KSとの交差位置に、2つのメモリセルゲートTG、またはビット線接続ゲートSWが形成される。N型の拡散層ODの中央部付近は、2つのゲートに共通のソース/ドレイン領域とされる一方、両端部付近は、各ゲートに個別のソース/ドレイン領域とされる。ソース/ドレイン領域は、ストレージコンタクトCAを介して、メモリセルキャパシタのストレージ電極SNに接続され、またはサブビット線コンタクトCHおよびメタル配線のビアを介して、サブビット線、またはメインビット線に接続される。メモリセルゲートTGおよびビット線接続ゲートSWは、4つ単位で同一のパターンを繰り返すように配置される。