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1. (WO2007114140) カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/114140 国際出願番号: PCT/JP2007/056580
国際公開日: 11.10.2007 国際出願日: 28.03.2007
予備審査請求日: 29.01.2008
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
出願人: TAKEDA, Seiji; null (UsOnly)
MUKASA, Koichi; null (UsOnly)
ISHII, Atsushi; null (UsOnly)
OZAKI, Hiroichi; null (UsOnly)
SAWAMURA, Makoto; null (UsOnly)
HOSOI, Hirotaka; null (UsOnly)
HATTORI, Satoshi; null (UsOnly)
YAMADA, Yoshiki; null (UsOnly)
SUEOKA, Kazuhisa; null (UsOnly)
National University Corporation Hokkaido University[JP/JP]; 8, Kita 8-jyo Nishi 5-chome, Kita-ku, Sapporo-shi Hokkaido 0600808, JP (AllExceptUS)
発明者: TAKEDA, Seiji; null
MUKASA, Koichi; null
ISHII, Atsushi; null
OZAKI, Hiroichi; null
SAWAMURA, Makoto; null
HOSOI, Hirotaka; null
HATTORI, Satoshi; null
YAMADA, Yoshiki; null
SUEOKA, Kazuhisa; null
代理人: WASHIDA, Kimihito; 5th Floor, Shintoshicenter Bldg. 24-1, Tsurumaki 1-chome, Tama-shi, Tokyo 2060034, JP
優先権情報:
2006-10095831.03.2006JP
発明の名称: (EN) CARBON NANOTUBE ELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A NANOTUBES DE CARBONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
要約: front page image
(EN) This invention provides a process for producing a carbon nanotube electric field effect transistor that can improve yield in channel preparation. Carbon nanotubes dispersed in a mixed acid composed of sulfuric acid and nitric acid are subjected to radical treatment with aqueous hydrogen peroxide to cut the carbon nanotubes and thus to provide carboxyl-introduced carbon nanotube fragments. The carbon nanotube fragments are attached, through a covalent bond and/or an electrostatic bond, to a site, where a source electrode is to be formed, and a site where a drain electrode is to be formed, in a substrate with a functional group, to be attached to a carboxyl group, introduced thereinto. The carbon nanotube fragments attached to the substrate are attached to carbon nanotubes as channels through π-π interaction to fix the carbon nanotubes as channels to the substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à nanotubes de carbone qui peut améliorer le rendement de préparation du canal. On disperse des nanotubes de carbones dans un mélange d'acides composé d'acide sulfurique et d'acide nitrique et on les soumet à un traitement violent avec une solution d'eau oxygénée pour les couper et obtenir ainsi des fragments de nanotubes de carbone auxquels sont attachés des carboxyles. Les fragments de nanotubes de carbone sont attachés par une liaison covalente et/ou électrostatique, à un site où une électrode source doit être formée et à un site où une électrode de drain doit être formée, dans un substrat ayant un groupe fonctionnel qui doit s'attacher à un groupe carboxyle qui a été introduit dans les nanotubes. Les fragments de nanotubes de carbone attachés au substrat sont attachés aux nanotubes de carbone en tant que canaux par une interaction π-π permettant de fixer les nanotubes de carbone sous forme de canaux sur le substrat.
(JA)  本発明は、チャネル作製の歩留まりを向上させることができるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの製造方法に関する。硫酸と硝酸の混合酸に分散したカーボンナノチューブを、過酸化水素水を用いてラジカル処理することによって切断し、カルボキシル基が導入されたカーボンナノチューブフラグメントを得る。カーボンナノチューブフラグメントを、カルボキシル基と結合する官能基が導入された基板のソース電極形成予定部位およびドレイン電極形成予定部位に、共有結合および/または静電的結合により結合させる。基板に結合されたカーボンナノチューブフラグメントと、チャネルとなるカーボンナノチューブとをπ-π相互作用により結合させ、チャネルとなるカーボンナノチューブを基板に固定させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)