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1. (WO2007114099) スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/114099 国際出願番号: PCT/JP2007/056192
国際公開日: 11.10.2007 国際出願日: 26.03.2007
IPC:
H01L 49/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人: SAKAMOTO, Toshitsugu[JP/JP]; JP (UsOnly)
IGUCHI, Noriyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
BANNO, Naoki[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAWAURA, Hisao[JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
発明者: SAKAMOTO, Toshitsugu; JP
IGUCHI, Noriyuki; JP
BANNO, Naoki; JP
KAWAURA, Hisao; JP
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2006-09351330.03.2006JP
発明の名称: (EN) SWITCHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SWITCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'INTERRUPTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF D'INTERRUPTEUR
(JA) スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a switching device which is operated by utilizing an electrochemical reaction and comprises an ion conductive layer (54) which is capable of conducting metal ions, a first electrode (49) formed in contact with the ion conductive layer, and a second electrode (58) for supplying metal ions to the ion conductive layer. The switching device is characterized in that an oxygen absorption layer (55) containing a material which is more easily oxidized than the second electrode is formed in contact with the second electrode.
(FR) Dispositif d'interrupteur fonctionnant à partir d'une réaction électrochimique et comprenant une couche à conduction ionique (54) capable de conduire des ions métalliques, une première électrode (49) formée en contact avec la couche à conduction ionique et une seconde électrode (58) pour apporter des ions métalliques à la couche à conduction métallique. Le dispositif d'interrupteur est caractérisé en ce qu'une couche absorbant l'oxygène (55) contenant un matériau plus facilement oxydable que la seconde électrode est formée en contact avec ladite seconde électrode.
(JA)  本発明のスイッチング素子は、金属イオンを伝導可能なイオン伝導層54と、イオン伝導層と接して設けられた第1電極49と、イオン伝導層に金属イオンを供給するための第2電極58とを有し、電気化学反応を利用して動作するスイッチング素子において、第2電極よりも酸化されやすい材料を含む酸素吸収層55が第2電極に接して設けられた構成である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)