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1. (WO2007114033) 発光素子の製造方法、化合物半導体ウェーハ及び発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/114033 国際出願番号: PCT/JP2007/055476
国際公開日: 11.10.2007 国際出願日: 19.03.2007
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
出願人:
久米 史高 KUME, Fumitaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
篠原 政幸 SHINOHARA, Masayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区丸の内1丁目4番2号 Tokyo 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
発明者:
久米 史高 KUME, Fumitaka; JP
篠原 政幸 SHINOHARA, Masayuki; JP
代理人:
菅原 正倫 SUGAWARA, Masatsune; 〒4600008 愛知県名古屋市中区栄二丁目9番30号 栄山吉ビル 菅原国際特許事務所 Aichi SUGAWARA & ASSOCIATES, Sakae Yamakichi Bldg., 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
優先権情報:
2006-09923131.03.2006JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT, COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT ELECTROLUMINESCENT, PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE A COMPOSE ET ELEMENT ELECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子の製造方法、化合物半導体ウェーハ及び発光素子
要約:
(EN) This invention provides a method for manufacturing a light emitting element by epitaxially growing a luminescent layer part (24) of a first group III-V compound semiconductor and a current diffusion layer (7) provided in that order on a single crystal substrate (1) for growth. The method for manufacturing a light emitting element comprises carrying out a metal organic vapor phase epitaxial growth step and a hydride vapor phase epitaxial growth step in that order. The metal organic vapor phase epitaxial growth step comprises epitaxially growing a luminescent layer part (24) on the single crystal substrate (1) for growth by metal organic vapor phase epitaxial growth. The hydride vapor phase epitaxial growth step comprises epitaxially growing the current diffusion layer (7) on the luminescent layer part (24) by hydride vapor phase epitaxial growth. In the hydride vapor phase epitaxial growth step, the current diffusion layer (7) is grown as having a low-speed growth layer (7a) located on a side near the luminescent layer part (24) and a high-speed growth layer (7b) continued from the low-speed growth layer (7a) in such a manner that the growth rate of the low-speed growth layer (7a) is lower than the growth rate of the high-speed growth layer (7b). According to the above constitution, a method for manufacturing a light emitting element can be provided which can suppress the occurrence of hillock in the formation of a thick current diffusion layer by hydride vapor phase epitaxial growth.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent par la croissance épitaxiale d'une partie de couche luminescente (24) d'un premier semi-conducteur à composé du groupe III-V et d'une couche de diffusion de courant (7) dans cet ordre sur un substrat monocristallin (1) destiné à la croissance. Ledit procédé comprend la réalisation d'une étape de croissance épitaxiale en phase vapeur organométallique et une étape de croissance épitaxiale en phase vapeur d'hydrure dans cet ordre. La première étape comprend la croissance épitaxiale d'une partie de couche luminescente (24) sur le substrat monocristallin (1) pour la croissance par croissance épitaxiale en phase vapeur organométallique. La seconde étape comprend la croissance épitaxiale de la couche de diffusion de courant (7) sur la partie de couche luminescente (24) par une croissance épitaxiale en phase vapeur d'hydrure. Dans cette seconde étape, la couche de diffusion de courant (7) est mise à croître avec une couche à croissance lente (7a) située sur un côté près de la partie de couche luminescente (24) et une couche à croissance rapide (7b) continuant la couche à croissance lente (7a) de telle sorte que la vitesse de croissance de la couche à croissance lente (7a) est inférieure à la vitesse de croissance de la couche à croissance rapide (7b). Selon la constitution ci-dessus, un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent peut être proposé pour supprimer l'occurrence d'un monticule lors de la formation d'une couche de diffusion de courant épaisse par une croissance épitaxiale en phase vapeur d'hydrure.
(JA) 成長用単結晶基板1上に、第一のIII-V族化合物半導体からなる発光層部24と電流拡散層7とをこの順序でエピタキシャル成長する発光素子の製造方法において、成長用単結晶基板1上に発光層部24を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる有機金属気相成長工程と、発光層部24上に電流拡散層7をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長するハイドライド気相成長工程とをこの順序で実施する。そして、電流拡散層7を発光層部24に近い側に位置する低速成長層7aと該低速成長層7aに続く高速成長層7bとを有するものとして、ハイドライド気相成長工程において低速成長層7aの成長速度を高速成長層7bの成長速度よりも小さく設定して成長する。これにより、ハイドライド気相成長法を用いて厚い電流拡散層を形成する際に、ヒロックの発生を抑制することができる発光素子の製造方法を提供する。  
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)