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1. (WO2007111348) 基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/111348 国際出願番号: PCT/JP2007/056609
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 28.03.2007
IPC:
H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
奥田 和幸 OKUDA, Kazuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
水野 謙和 MIZUNO, Norikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 〒1018980 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 Tokyo 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP (AllExceptUS)
発明者:
奥田 和幸 OKUDA, Kazuyuki; JP
水野 謙和 MIZUNO, Norikazu; JP
代理人:
荒船 博司 ARAFUNE, Hiroshi; 〒1620832 東京都新宿区岩戸町18番地 日交神楽坂ビル5階 光陽国際特許法律事務所内 Tokyo c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18 Iwatocho, Shinjuku-ku Tokyo 1620832, JP
優先権情報:
2006-08819228.03.2006JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATING APPARATUS
(FR) appareil de traitement de substrat
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN) A substrate treating apparatus comprising a treating space being a space for substrate treatment; a heating member for heating the treating space; a gas supply member for feeding at least first and second treating gases to the treating space; an evacuation member for evacuating the atmosphere from the treating space; and a control member for controlling at least the gas supply member and the evacuation member, which control member in the forming of a desired film on the substrate controls so as to realize multiple alternate repetitions of supply and evacuation of the treating gases while avoiding mixing of the first and second treating gases in the treating space and in the coating of the inner wall surface of the treating space with a desired film controls so as to simultaneously supply the first and second treating gases to the treating space.
(FR) L'invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant un espace de traitement en tant qu'espace de traitement de substrat ; un élément de chauffage pour chauffer l'espace de traitement ; un élément d'alimentation en gaz pour alimenter au moins des premier et second gaz de traitement vers l'espace de traitement ; un élément d'évacuation pour évacuer l'atmosphère provenant de l'espace de traitement ; et un élément de commande pour commander au moins l'élément d'alimentation en gaz et l'élément d'évacuation, lequel élément de commande dans la formation d'un film souhaité sur le substrat commande de façon à réaliser des répétitions alternées multiples d'alimentation et d'évacuation des gaz de traitement tout en évitant le mélange des premier et second gaz de traitement dans l'espace de traitement et dans le revêtement de la surface de paroi interne de l'espace de traitement avec un film souhaité, et commande de façon à fournir simultanément les premier et second gaz de traitement à l'espace de traitement.
(JA)  基板を処理する空間を提供する処理空間と、前記処理空間を加熱する加熱部材と、前記処理空間に少なくとも第1と第2の処理ガスを供給するガス供給部材と、前記処理空間の雰囲気を排出する排出部材と、少なくとも前記ガス供給部材と排出部材を制御する制御部材であって、前記基板に所望の膜を生成する際は、前記処理空間内で前記第1と第2の処理ガスを混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互に複数回繰り返すように制御し、前記処理空間の内壁表面に所望の膜をコーティングする際は、前記第1と第2の処理ガスを共に前記処理空間へ供給するように制御する前記制御部材と、を備える基板処理装置が開示されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)