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1. (WO2007111337) 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/111337    国際出願番号:    PCT/JP2007/056508
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 20.03.2007
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
出願人: NITTO KOKI KABUSIKI KAISHA [JP/JP]; 14-18 Kudankita 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 1020073 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YUGEN KAISHA SOLATES ELABO [JP/JP]; 2009-3 Endo Fujisawa-shi Kanagawa 2520816 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TERASHIMA, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMURA, Suzuka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAYOSHI, Hirosi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAGA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TERASHIMA, Kazutaka; (JP).
NISHIMURA, Suzuka; (JP).
NAGAYOSHI, Hirosi; (JP).
KAWAMURA, Hiroshi; (JP).
HAGA, Kazuhiro; (JP)
代理人: MURATA, Minoru; 2-10 Kandaogawamachi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010052 (JP)
優先権情報:
2006-78915 22.03.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND APPARATUS FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) procédé de fabrication de semi-conducteur composé et appareil de fabrication de semi-conducteur composé
(JA) 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing compound semiconductor for improving the quality of each thin film layer constituting a laminated structure. The thin film layers are crystal-grown on a silicon substrate (2) in sequence, respectively, in first and second vapor-phase growth chambers (6a, 6b) exclusively used for each of the thin film layers so that materials other than those materials (including adhered material, deposited material and the like) relating to the raw material gas used in the vapor-phase growth chambers (6a, 6b) are prevented from being existed in the first and the second vapor-growth chambers (6a, 6b). Thus, the quality of a second thin film layer is prevented from deteriorating due to unexpected reaction of the material gas or the like used for the first and the second thin film layers. The silicon substrate (2) is required to be transferred from the first vapor-phase growth chamber (6a) to the second vapor-phase growth chamber (6b) as the first and the second vapor-phase growth chambers (6a, 6b) are arranged. A transfer space (35) for the silicon substrate (2) is permitted to have nitrogen atmosphere or in vacuum state for suppressing oxidation, and when transferring the silicon substrate (2), generation of oxide material on the first thin film layer, i.e., the outermost layer at such time, is suppressed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteur composé pour améliorer la qualité de chaque couche de film mince constituant une structure stratifiée. Les couches de film mince sont constituées de cristaux cultivés sur un substrat de silicium (2) en séquence, respectivement, dans une première et une seconde chambres de croissance en phase vapeur (6a, 6b) utilisées de manière exclusive pour chacune des couches de film mince de sorte que des matériaux autres que les matériaux (y compris le matériau collé, le matériau déposé et similaire) se rapportant au gaz brut utilisé dans les chambres de croissance en phase vapeur (6a, 6b) ne pourront pas exister dans la première chambre et la seconde chambre de croissance en phase vapeur (6a, 6b). Ainsi, la qualité d'une seconde couche de film mince ne va pas se détériorer suite à une réaction imprévue du gaz ou similaire utilisé pour la première et la seconde couches de film mince. Le substrat de silicium (2) devra être transféré de la première chambre de croissance en phase vapeur (6a) vers la seconde chambre de croissance en phase vapeur (6b) alors que la première et la seconde chambres de croissance en phase vapeur (6a, 6b) sont aménagées. Un espace de transfert (35) pour le substrat de silicium (2) peut présenter une atmosphère d'azote ou un état dépressurisé permettant de supprimer l'oxydation, et pendant le transfert du substrat de silicium (2), la génération de matériau d'oxyde sur la première couche de film mince, à savoir la couche la plus externe à ce moment, est supprimée.
(JA)積層構造を構成する各薄膜層の品質を向上させることができる化合物半導体の製造方法を提供する。シリコン基板2上に各薄膜層を、該各薄膜層に応じた専用の第1,第2気相成長室6a,6b内で、順次、結晶成長させることにより、第1,第2気相成長室6a,6bにおいて、その各気相成長室6a,6bで用いられる原材料ガスに関係したもの(付着物、堆積物等を含む)以外は存在しないようにし、第1,第2薄膜層のための原料ガス等が想定外の反応を起こして、第2薄膜層の品質が低下することを防止する。また、第1,第2気相成長室6a,6bを設けることに伴い、第1気相成長室6aから第2気相成長室6bにシリコン基板2を搬送させることが必要になるが、その際には、そのシリコン基板2の搬送空間35を、酸化を抑制する窒素雰囲気又は真空中として、そのシリコン基板2の搬送時に、そのとき最外層となっている第1薄膜層において酸化物が生成されることを抑制する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)