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World Intellectual Property Organization
1. (WO2007111319) 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/111319    国際出願番号:    PCT/JP2007/056271
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 26.03.2007
G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Tetsuhiro; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
2006-088645 28.03.2006 JP
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法
要約: front page image
(EN)A magnetic random access memory comprising a magnetic resistor element (50) and a read circuit (42-44). In the magnetic resistor element (50), a fixed ferromagnetic layer, a non-magnetic layer and a free ferromagnetic layer are sequentially laminated and data can be written in the direction of the magnetization of the free ferromagnetic layer that can be changed by a spin injection. In the read circuit (42-44), during a read operation, data of the magnetic resistor element (50) is read based on a resistor value of the magnetic resistor element (50) obtained by causing a read current to flow between the fixed ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer. In the read circuit (42-44), the application of the read current and the read operation are performed a plurality of times, thereby deciding a read data. The direction of the application of the read current at the second and subsequent times of the plurality of times is decided based on the previously read data such that the magnetization of the free ferromagnetic layer is not inverted.
(FR)L'invention porte sur une mémoire vive magnétique comprenant un élément de résistance magnétique (50), un circuit d'écriture (43, 41) et un circuit de lecture (44, 42). Dans l'élément de résistance magnétique (50), une couche ferromagnétique fixe, une couche non magnétique et une couche magnétique libre sont successivement laminées et des données peuvent être écrites dans le sens de la magnétisation de la couche ferromagnétique libre qui peut être changée par une injection de spin. Dans le circuit d'écriture (43, 41), lors d'une opération de lecture, les données de l'élément de résistance magnétique (50) sont lues sur la base d'une valeur de résistance de l'élément de résistance magnétique (50) obtenue en faisant passer un courant de lecture entre la couche ferromagnétique fixe et la couche ferromagnétique libre. Dans le circuit de lecture (44, 42), l'application du courant de lecture et l'opération de lecture sont effectuées plusieurs fois, ce qui permet de décider des données de lecture. Le sens d'application du courant de lecture la seconde fois et les fois successives est décidée sur la base des donnés lues antérieurement de façon à na pas inverser la magnétisation de la couche ferromagnétique libre.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)