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1. (WO2007111219) III族窒化物単結晶の成長方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/111219    国際出願番号:    PCT/JP2007/055868
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 22.03.2007
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASE, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYANAGA, Michimasa; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
KAWASE, Tomohiro; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2006-091389 29.03.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR GROWING III NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE III NITRURE
(JA) III族窒化物単結晶の成長方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for growing an AlxGa1-x single crystal (4) by sublimation. The method includes a step of arranging a material (1) in a crucible (12), and a step of growing an AlxGa1-xN (0yGa1-y material (2) and an impurity element (3). The impurity element (3) is at least an element selected from a group composed of IVb elements and IIa elements. Thus, the III nitride single crystal, which is large, has low dislocation density and excellent crystallinity, can be stably grown.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de faire croître un monocristal de AlxGa1-x (4) par sublimation. Le procédé comprend une étape dans laquelle on place une substance (1) dans un creuset (12) et une étape dans laquelle on fait croître un monocristal de AlxGa1-xN (0 < x ≤ 1) (4) dans le creuset (12) en sublimant la substance (1). La substance (1) comprend du AlyGa1-y (2) et un élément d'impureté (3). L'élément d'impureté (3) est au moins un élément choisi dans le groupe composé des éléments IVb et des éléments IIa. En conséquence, il est possible de faire croître de manière stable un monocristal de III nitrure de grande taille qui présente une densité des dislocations faible et une cristallinité excellente.
(JA) 本III族窒化物単結晶の成長方法は、昇華法によるAlxGa1-xN単結晶(4)の成長方法であって、坩堝(12)内に原料(1)を配置する工程と、原料(1)を昇華させて坩堝(12)内にAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶(4)を成長させる工程とを備え、原料(1)はAlyGa1-yN原料(2)と不純物元素(3)とを含み、不純物元素(3)はIVb族元素およびIIa族元素からなる群から選ばれる少なくとも1つである。かかる成長方法によれば、大型で転位密度が低く結晶性のよいIII族窒化物単結晶を安定して成長させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)