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1. (WO2007111191) 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/111191 国際出願番号: PCT/JP2007/055609
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 20.03.2007
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
出願人: HIRAI, Katsura[JP/JP]; JP (UsOnly)
OZEKI, Hidekane[JP/JP]; JP (UsOnly)
Konica Minolta Holdings, Inc.[JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
発明者: HIRAI, Katsura; JP
OZEKI, Hidekane; JP
優先権情報:
2006-08241924.03.2006JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) Film mince semi-conducteur organique, transistor à couches minces organiques et procédé de fabrication de celui-ci
(JA) 有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is an organic semiconductor thin film having excellent coating property and high carrier mobility. Also disclosed are an organic thin film transistor using such an organic semiconductor thin film, and a method for manufacturing such an organic thin film transistor. Specifically disclosed is an organic semiconductor thin film formed on a base subjected to a surface treatment. This organic semiconductor thin film is characterized in that a surface treating agent used in the surface treatment has a terminal structure represented by a specific general formula.
(FR) L'invention concerne un film mince semi-conducteur organique présentant d'excellentes propriétés de revêtement et une mobilité élevée des porteurs. L'invention concerne également un transistor à couches minces organiques utilisant un tel film mince semi-conducteur organique, et un procédé de fabrication d'un tel transistor à couches minces organiques. L'invention concerne spécifiquement un film mince semi-conducteur organique formé sur une base soumise à un traitement de surface. Ce film mince semi-conducteur organique est caractérisé en ce qu'un agent de traitement de surface employé dans le traitement de surface présente une structure terminale représentée par une formule générale spécifique.
(JA)  本発明は、塗布性に優れ、キャリア移動度の高い有機半導体薄膜、それを用いた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。この有機半導体薄膜は、表面処理された基体上に形成され、該表面処理に用いられる表面処理剤が特定の一般式で表される末端構造を有することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)