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表
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1. (WO2007111072) 光電変換デバイスの製造方法
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国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:
WO/2007/111072
国際出願番号:
PCT/JP2007/053805
国際公開日:
04.10.2007
国際出願日:
28.02.2007
IPC:
H01J 9/26
(2006.01),
H01J 9/24
(2006.01)
H
電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
9
電子管,放電ランプまたはその部品の製造に特に適用される装置または方法;電子管または放電ランプからの材料の回収
24
うつわ,導入線またはベースの製造または接合
26
うつわの部分どうしの封止
H
電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
9
電子管,放電ランプまたはその部品の製造に特に適用される装置または方法;電子管または放電ランプからの材料の回収
24
うつわ,導入線またはベースの製造または接合
出願人:
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
[JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
(米国を除く全ての指定国)
.
KISHITA, Hitoshi
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
SUGIYAMA, Hiroyuki
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
KYUSHIMA, Hiroyuki
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
SHIMOI, Hideki
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
INOUE, Keisuke
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
発明者:
KISHITA, Hitoshi
; (JP).
SUGIYAMA, Hiroyuki
; (JP).
KYUSHIMA, Hiroyuki
; (JP).
SHIMOI, Hideki
; (JP).
INOUE, Keisuke
; (JP)
代理人:
HASEGAWA, Yoshiki
; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2006-091476
29.03.2006
JP
発明の名称:
(EN)
METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERTING DEVICE
(FR)
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA)
光電変換デバイスの製造方法
要約:
(EN)
This invention provides a method that can hermetically join two members for constituting an envelope for housing a photoelectric surface without deteriorating properties of the photoelectric surface. A chromium metal film (11a) and a nickel metal film (11b) are stacked in that order on a joined part in an upper frame (2) having a photoelectric surface (7). The lower frame (5) comprises a flat plate-shaped member (4) and a silicon frame member (3). The flat plate-shaped member (4) comprises an electron multiplier part (8) and an anode (9). A chromium metal film (10a) and a nickel metal film (10b) are stacked in that order on the joined part of the frame member. The upper frame and the lower frame are superimposed on top of each other through an indium-containing joining material (12). The system is evacuated to a predetermined degree of vacuum, and, in a vacuum space kept at a temperature at or below the melting point of indium, the upper frame and the lower frame are mutually pressed by a predetermined pressure to form an envelope having a housing space in which a satisfactory level of airtightness is maintained.
(FR)
Cette invention concerne un procédé qui peut assembler hermétiquement deux éléments pour constituer une enveloppe destinée à loger une surface photoélectrique sans détériorer des propriétés de la surface photoélectrique. Un film métallique de chrome (11a) et un film métallique de nickel (11b) sont empilés dans cet ordre sur une partie assemblée dans un cadre supérieur (2) ayant une surface photoélectrique (7). Le cadre inférieur (5) comprend un élément en forme de plaque plane (4) et un élément de cadre de silicium (3). L'élément en forme de plaque plane (4) comprend une partie de multiplicateur d'électrons (8) et une anode (9). Un film métallique de chrome (10a) et un film métallique de nickel (10b) sont empilés dans cet ordre sur la partie assemblée de l'élément de cadre. Le cadre supérieur et le cadre inférieur sont superposés l'un sur l'autre grâce à un matériau d'assemblage contenant de l'indium (12). Le système est évacué à un degré prédéterminé de vide, et, dans un espace vide gardé à une température inférieure ou égale au point de fusion de l'indium, le cadre supérieur et le cadre inférieur sont mutuellement compressés par une pression prédéterminée pour former une enveloppe ayant un espace de logement dans lequel un niveau satisfaisant d'étanchéité à l'air est maintenu.
(JA)
not available
指定国:
AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語:
Japanese (
JA
)
国際出願言語:
Japanese (
JA
)