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World Intellectual Property Organization
1. (WO2007111028) 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/111028    国際出願番号:    PCT/JP2007/000337
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 29.03.2007
C23C 16/509 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD [JP/JP]; 1-1, Toyosu 3-chome, Koto-ku, Tokyo 1358710 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UEDA, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAGI, Tomoko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITOU, Norikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UEDA, Masashi; (JP).
TAKAGI, Tomoko; (JP).
ITOU, Norikazu; (JP)
代理人: HOTATE, Koichi; c/o Nakayama & Hotate 3rd. floor, Vogue Bldg. 2-3, Higashinakano 2-chome Nakano-ku, Tokyo 1640003 (JP)
2006-092481 29.03.2006 JP
(FR) procédé pour la formation d'un film de silicium microcristallin et cellule solaire
(JA) 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池
要約: front page image
(EN)This invention provides a PCVD process, which can form microcrystalline silicon using hydrogen gas at a low flow rate, and provides a microcrystalline silicon solar cell at lower cost. The method for microcrystalline silicon formation by the PCVD process is characterized by comprising arraying a plurality of antennas, both ends of which are connected respectively to a high-frequency power supply and a ground, within one plane in a vacuum chamber to constitute an array antenna structure, disposing the substrate so as to face the array antenna, raising the temperature of the substrate to 150 to 250ºC, introducing a mixed gas containing hydrogen gas and silane gas into the system, supplying a high-frequency electric power to the plurality of antenna to generate plasma, and regulating the hydrogen gas/silane gas flow rate ratio in the range of 1 to 10 to form, on the substrate, such a microcrystalline silicon film that the ratio between a crystalline silicon-derived Raman scattering intensity at a wavenumber around 520 cm-1, Ic, and a noncrystalline silicon-derived Raman scattering intensity at a wavenumber around 480 cm-1, Ia, i.e., Ic/Ia, is 2 to 6.
(FR)Cette invention concerne un processus PCVD, qui peut former un silicium microcristallin à l'aide d'hydrogène gazeux à faible débit, et une cellule solaire à silicium microcristallin à un coût inférieur. Le procédé pour la formation de silicium microcristallin par le processus PCVD se caractérise en ce qu'il comprend la mise en réseau d'une pluralité d'antennes, dont les deux extrémités sont connectées respectivement à une alimentation électrique de haute fréquence et à une terre, dans un plan dans une chambre à vide pour constituer une structure d'antenne réseau, dispose le substrat pour faire face à l'antenne réseau, élève la température du substrat de 150 jusqu'à 250°C, introduit un gaz mélangé contenant de l'hydrogène gazeux et du silane gazeux dans le système, fournit une alimentation électrique de haute fréquence à une pluralité d'antennes pour générer un plasma, et régule le rapport de flux d'hydrogène gazeux/silane gazeux dans la plage de 1 à 10 pour former, sur le substrat, un tel film de silicium microcristallin de sorte que le rapport entre une intensité de diffusion de Raman provenant d'un silicium cristallin pour un nombre d'ondes d'environ 520 cm-1, Ic, et une intensité de diffusion de Raman provenant d'un silicium non cristallin pour un nombre d'ondes autour de 480 cm-1, Ia, par exemple, Ic/Ia, est de 2 à 6.
(JA) 低流量の水素ガスで微結晶シリコンの形成が可能なPCVD法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。  微結晶シリコンをPCVD法により形成する方法において、真空室内に、両端部がそれぞれ高周波電源とアースとに接続されたアンテナを複数、一平面内に配列してアレイアンテナ構造として配置し、基板を該アレイアンテナに対向して配置し、該基板の温度を150~250°Cとし、水素ガスとシランガスとを含む混合ガスを導入し、前記複数のアンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、水素ガス/シランガス流量比を1~10の範囲で調節して、前記基板上に結晶シリコンに起因する520cm-1付近のラマン散乱強度Icと非晶質シリコンに起因する480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとの比Ic/Iaが2~6となる微結晶シリコン膜を形成することを特徴とする。 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)