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1. (WO2007111028) 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池

Pub. No.:    WO/2007/111028    International Application No.:    PCT/JP2007/000337
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2007
IPC: C23C 16/509
C23C 16/24
H01L 31/04
Applicants: ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD
石川島播磨重工業株式会社
UEDA, Masashi
上田仁
TAKAGI, Tomoko
高木朋子
ITOU, Norikazu
伊藤憲和
Inventors: UEDA, Masashi
上田仁
TAKAGI, Tomoko
高木朋子
ITOU, Norikazu
伊藤憲和
Title: 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池
Abstract:
 低流量の水素ガスで微結晶シリコンの形成が可能なPCVD法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。  微結晶シリコンをPCVD法により形成する方法において、真空室内に、両端部がそれぞれ高周波電源とアースとに接続されたアンテナを複数、一平面内に配列してアレイアンテナ構造として配置し、基板を該アレイアンテナに対向して配置し、該基板の温度を150~250°Cとし、水素ガスとシランガスとを含む混合ガスを導入し、前記複数のアンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、水素ガス/シランガス流量比を1~10の範囲で調節して、前記基板上に結晶シリコンに起因する520cm-1付近のラマン散乱強度Icと非晶質シリコンに起因する480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとの比Ic/Iaが2~6となる微結晶シリコン膜を形成することを特徴とする。