国際・国内特許データベース検索

1. (WO2007110961) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2007/110961    International Application No.:    PCT/JP2006/306576
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2006
IPC: H01L 21/8246
H01L 27/105
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
MATSUURA, Katsuyoshi
松浦 克好
Inventors: MATSUURA, Katsuyoshi
松浦 克好
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
 強誘電体キャパシタ下部電極の膜質を改善して、強誘電体キャパシタ下部電極の上に形成する強誘電体膜の特性を良好にする。  強誘電体キャパシタ(102)を有する半導体装置において、MOSトランジスタ(20)に接続されたプラグ電極(30)に、有機金属を吸着させた後、水との反応により、水素で終端されたアルミニウム膜(40)を形成する。その上にチタンナイトライド膜(51)、チタンアルミナイトライド膜(60)、イリジウム膜(70)、強誘電体膜(80)、上部電極(101)を形成する。これにより、チタンナイトライド膜(51)、チタンアルミナイトライド膜(60)、イリジウム膜(70)及び強誘電体膜(80)を結晶性良く形成することができる。