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1. (WO2007110961) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/110961    国際出願番号:    PCT/JP2006/306576
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 29.03.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUURA, Katsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUURA, Katsuyoshi; (JP)
代理人: HATTORI, Kiyoshi; HATTORI PATENT OFFICE Hachioji Azumacho Center Building 9-8, Azuma-cho Hachioji-shi, Tokyo 192-0082 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The quality of a film constituting a lower electrode of a ferroelectric capacitor is improved to improve the properties of a ferroelectric film provided on the lower electrode of the ferroelectric capacitor. In a semiconductor device comprising a ferroelectric capacitor (102), an organometal is adsorbed onto a plug electrode (30) connected to an MOS transistor (20), followed by a reaction with water to form a hydrogen-terminated aluminum film (40). A titanium nitride film (51), a titanium aluminum nitride film (60), an iridium film (70), a ferroelectric film (80), and an upper electrode (101) are formed on the aluminum film (40). According to the above constitution, the titanium nitride film (51), the titanium aluminum nitride film (60), the iridium film (70), and the ferroelectric film (80) can be formed with high crystallinity.
(FR)Selon l'invention, la qualité d'un film constituant une électrode inférieure d'un condensateur ferroélectrique est améliorée afin d'améliorer les propriétés d'un film ferroélectrique utilisé sur l'électrode inférieure du condensateur ferroélectrique. Dans un composant à semiconducteur comprenant un condensateur ferroélectrique (102), un composé organométallique est adsorbé sur une électrode de fiche (30) reliée à un transistor MOS (20), suivi par une réaction avec de l'eau pour former un film d'aluminium à terminaison hydrogène (40). Un film de nitrure de titane (51), un film de nitrure d'aluminium titane (60), un film d'iridium (70), un film ferroélectrique (80) et une électrode supérieure (101) sont formés sur le film d'aluminium (40). En fonction de la constitution ci-dessus, le film de nitrure de titane (51), le film de nitrure d'aluminium titane (60), le film d'iridium (70) et le film ferroélectrique (80) et peuvent être formés avec une cristallinité élevée.
(JA) 強誘電体キャパシタ下部電極の膜質を改善して、強誘電体キャパシタ下部電極の上に形成する強誘電体膜の特性を良好にする。  強誘電体キャパシタ(102)を有する半導体装置において、MOSトランジスタ(20)に接続されたプラグ電極(30)に、有機金属を吸着させた後、水との反応により、水素で終端されたアルミニウム膜(40)を形成する。その上にチタンナイトライド膜(51)、チタンアルミナイトライド膜(60)、イリジウム膜(70)、強誘電体膜(80)、上部電極(101)を形成する。これにより、チタンナイトライド膜(51)、チタンアルミナイトライド膜(60)、イリジウム膜(70)及び強誘電体膜(80)を結晶性良く形成することができる。                                                                         
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)