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1. (WO2007110950) 半導体記憶装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/110950    国際出願番号:    PCT/JP2006/306496
国際公開日: 04.10.2007 国際出願日: 29.03.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/06 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MARUYAMA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Masao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO, Keisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MARUYAMA, Kenji; (JP).
KONDO, Masao; (JP).
SATO, Keisuke; (JP)
代理人: MORIOKA, Masaki; MORIOKA & ASSOCIATES Iwai Bldg. 4th Floor 16-5, Shimizu 1-chome Suginami-ku, Tokyo 1670033 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体記憶装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] It is an object to provide a semiconductor memory device and a method of manufacturing the same which are applied to a nonvolatile semiconductor memory or the like and which have a good memory holding characteristic and can be finely miniaturized and highly integrated. [MEANS FOR SOLVING THE PROBLEMS] A semiconductor memory device (1) is comprised of a multiferroic film (9) exhibiting a ferroelectric property as well as a ferromagnetic property, a channel region (2) in an interface of a semiconductor substrate (22) provided under the multiferroic film (9), source and drain regions (3, 4) between which the channel region (2) is put and which are provided on one side of the channel region (2) and the other side, respectively, a gate electrode (10) (data writing electrode) (10) for applying a gate voltage to the multiferroic film (9) to change a magnetizing direction corresponding to a dielectric polarizing direction so as to write data, source and drain electrodes (28, 30) (data reading-out electrodes) for reading out data based on an eccentric carrier flow subjected to Lorenz force caused by a magnetic field in the channel (2) due to magnetization of a carrier flowing through the channel (2).
(FR)Le problème à résoudre dans la présente invention consiste à fournir un dispositif de mémoire à semi-conducteurs et son procédé de fabrication, appliqués à une mémoire non volatile à semi-conducteurs ou autre et qui ont une caractéristique de maintien de mémoire adaptée et peuvent être finement miniaturisés et hautement intégrés. Le moyen de résoudre le problème consiste à fournir un dispositif de mémoire à semi-conducteurs (1) composé d'un film multiferroïque (9) montrant une propriété ferroélectrique ainsi qu'une propriété ferromagnétique, une région de canal (2) dans une interface d'un substrat à semi-conducteurs (22) prévu sous le film multiferroïque (9), les régions source et drain (3, 4) entre lesquelles la région de canal (2) est placée et prévues d'un côté de la région de canal (2) et de l'autre côté respectivement, une électrode de grille (10) (électrode d'écriture de données) (10) pour appliquer une tension de grille sur le film multiferroïque (9) pour changer une direction de magnétisation correspondant à une direction de polarisation diélectrique de manière à écrire des données, des électrodes source et drain (28, 30) (électrodes de lecture de données) pour lire des données basées sur un flux de transporteur excentrique soumis à une force de Lorenz causée par un champ magnétique dans le canal (2) du fait de la magnétisation d'un transporteur circulant dans le canal (2).
(JA)【課題】本発明は、不揮発性半導体メモリ等に利用される半導体記憶装置及びその製造方法に関し、記憶保持特性に優れ、微細化及び高集積化が可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体記憶装置1は、強誘電性と共に強磁性を示すマルチフェロイク膜9と、マルチフェロイク膜9下方の半導体基板22界面のチャネル領域2と、チャネル領域2を挟んだ両側に形成されたソース/ドレイン領域3、4と、マルチフェロイク膜9にゲート電圧を印加して誘電分極の向きに対応させて磁化の向きを変化させてデータを書込むゲート電極10(データ書込み電極)と、チャネル領域2内を流れるキャリアが磁化によりチャネル領域2内に生じた磁場からローレンツ力を受けて生じるキャリアの流れの偏りに基づいてデータを読出すソース/ドレイン電極28、30(データ読出し電極)とを有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)