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1. (WO2007110950) 半導体記憶装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2007/110950    International Application No.:    PCT/JP2006/306496
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2007 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2006
IPC: H01L 21/8246
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/06
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
MARUYAMA, Kenji
丸山 研二
KONDO, Masao
近藤 正雄
SATO, Keisuke
佐藤 桂輔
Inventors: MARUYAMA, Kenji
丸山 研二
KONDO, Masao
近藤 正雄
SATO, Keisuke
佐藤 桂輔
Title: 半導体記憶装置及びその製造方法
Abstract:
【課題】本発明は、不揮発性半導体メモリ等に利用される半導体記憶装置及びその製造方法に関し、記憶保持特性に優れ、微細化及び高集積化が可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体記憶装置1は、強誘電性と共に強磁性を示すマルチフェロイク膜9と、マルチフェロイク膜9下方の半導体基板22界面のチャネル領域2と、チャネル領域2を挟んだ両側に形成されたソース/ドレイン領域3、4と、マルチフェロイク膜9にゲート電圧を印加して誘電分極の向きに対応させて磁化の向きを変化させてデータを書込むゲート電極10(データ書込み電極)と、チャネル領域2内を流れるキャリアが磁化によりチャネル領域2内に生じた磁場からローレンツ力を受けて生じるキャリアの流れの偏りに基づいてデータを読出すソース/ドレイン電極28、30(データ読出し電極)とを有している。