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1. WO2007108548 - 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法

公開番号 WO/2007/108548
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/056122
国際出願日 16.03.2007
IPC
C23C 28/04 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
28メイングループC23C2/00からC23C26/00の単一のメイングループに分類されない方法によるかまたはサブクラスC23CおよびC25Dに分類される方法の組合わせによる少なくとも2以上の重ね合わせ被覆層を得るための被覆
04無機質非金属材料のみの被覆
C23C 4/10 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
4溶解被覆材料のスプレーによる被覆,例.火炎,プラズマまたは放電によるもの
04被覆材料に特徴のあるもの
10酸化物,ほう化物,炭化物,窒化物またはけい化物;それらの混合物
C23C 4/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
4溶解被覆材料のスプレーによる被覆,例.火炎,プラズマまたは放電によるもの
18後処理
C23C 26/00 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
26グループC23C2/00~C23C24/00に分類されない被覆
C23C 28/00 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
28メイングループC23C2/00からC23C26/00の単一のメイングループに分類されない方法によるかまたはサブクラスC23CおよびC25Dに分類される方法の組合わせによる少なくとも2以上の重ね合わせ被覆層を得るための被覆
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
C23C 26/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
26Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
C23C 28/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
28Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
04only coatings of inorganic non-metallic material
042including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
C23C 4/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
4Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
02Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
C23C 4/11
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
4Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
04characterised by the coating material
10Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
11Oxides
C23C 4/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
4Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
18After-treatment
出願人
  • トーカロ株式会社 TOCALO CO., LTD. [JP/JP]; 〒6580013 兵庫県神戸市東灘区深江北町4丁目13番4号 Hyogo 13-4, Fukae-kitamachi 4-chome, Higashinada-ku, Kobe-shi, Hyogo 6580013, JP (AllExceptUS)
  • 原田良夫 HARADA, Yoshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 竹内純一 TAKEUCHI, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山崎良 YAMASAKI, Ryo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小林啓悟 KOBAYASHI, Keigo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 原田良夫 HARADA, Yoshio; JP
  • 竹内純一 TAKEUCHI, Junichi; JP
  • 山崎良 YAMASAKI, Ryo; JP
  • 小林啓悟 KOBAYASHI, Keigo; JP
代理人
  • 小川順三 OGAWA, Junzo; 〒1040061 東京都中央区銀座2丁目8番9号木挽館銀座ビル Tokyo Kobikikan Ginza Bldg. 8-9, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
優先権情報
2006-07619720.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC COVERING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'ELEMENTS DE COUVERTURE EN CERAMIQUE POUR APPAREIL DE TRAITEMENT DES SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法
要約
(EN)
An object of the present invention is to improve the durability of a member provided within a vessel, for example, in a semiconductor processing apparatus which conducts plasma etching under a strongly corrosive environment. The object can be attained by manufacturing a ceramic covering member for a semiconductor processing apparatus by thermally spraying a group IIIa oxide on a surface of a metallic or nonmetallic base material either directly or through an undercoat layer to form a layer formed of porous layer, and applying a high level of energy such as electron beams or laser beams onto the surface of the layer to form a secondary recrystallized layer.
(FR)
L'objectif de la présente invention est d'améliorer la durabilité d'un élément se trouvant dans une enceinte, par exemple dans un appareil de traitement des semi-conducteurs effectuant une gravure par plasma dans un environnement fortement corrosif. L'invention concerne donc un élément de couverture en céramique pour un appareil de traitement des semi-conducteurs, en vaporisant thermiquement un oxyde du groupe IIIa sur une surface d'un matériau de base métallique ou non métallique, soit directement, soit à travers une sous-couche pour former une couche faite d'une couche poreuse et en soumettant la surface de la couche à une énergie élevée par exemple des faisceaux d'électrons ou des faisceaux laser pour former une couche recristallisée secondaire.
(JA)
強い腐食性環境下で、プラズマエッチング加工が行われる半導体加工用装置などの容器内配設部材の耐久性の向上を図ることを課題とし、解決手段として、金属製または非金属製基材の表面に、直接またはアンダーコート層を介して、周期律表IIIa族の酸化物を溶射することによって多孔質層からなる層を形成し、そしてその上に、電子ビームやレーザービームなどの高エネルギーを照射処理を施すことによって、二次再結晶層を形成することにより、半導体加工装置用セラミック被覆部材を製造する。
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