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1. (WO2007108531) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ

Pub. No.:    WO/2007/108531    International Application No.:    PCT/JP2007/055988
Publication Date: 2007/09/27 International Filing Date: 2007/03/23
IPC: H01L 33/42
H01L 33/32
H01L 33/38
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
FUKUNAGA, Naoki
福永 修大
OSAWA, Hiroshi
大澤 弘
Inventors: FUKUNAGA, Naoki
福永 修大
OSAWA, Hiroshi
大澤 弘
Title: 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ
Abstract:
水素アニール処理によるp型半導体層の比抵抗の増加を抑えるとともに、透光性導電酸化膜の比抵抗を減少させ、駆動電圧(Vf)の低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプが提供される。そのような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法は、 窒化ガリウム系化合物半導体素子のp型GaN層14上に透光性導電酸化膜からなる正極15を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、正極15を、水素(H2)を含むガス雰囲気中でアニール処理する水素アニール工程が備えられた構成としている。