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1. WO2007108480 - 金属ナノ微粒子の固定化方法

公開番号 WO/2007/108480
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/055719
国際出願日 20.03.2007
予備審査請求日 19.10.2007
IPC
B82B 3/00 2006.01
B処理操作;運輸
82ナノテクノロジー
B個別の原子,分子,または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造;その製造または処理
3個別の原子,分子,または,限られた数の原子または分子の集合を区別された単位としての操作によるナノ構造の製造または処理
B22F 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
F金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
1金属質粉の特殊処理,例.加工を促進するためのもの,特性を改善するためのもの;金属粉それ自体,例.異なる組成の小片の混合
C23C 26/00 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
26グループC23C2/00~C23C24/00に分類されない被覆
H01L 29/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
06半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
CPC
B22F 2998/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
2998Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
B81C 1/00206
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00206Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
C23C 26/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
26Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
C23C 26/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
26Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
02applying molten material to the substrate
C23C 8/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
8Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces
02Pretreatment of the material to be coated
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構 Japan Science and Technology Agency [JP/JP]; 〒3320012 埼玉県川口市本町4丁目1番8号 Saitama 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP (AllExceptUS)
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒5650871 大阪府吹田市山田丘1番1号 Osaka 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP (AllExceptUS)
  • 小嶋 薫 OJIMA, Kaoru [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 高木 昭彦 TAKAGI, Akihiko [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 山田 郁彦 YAMADA, Fumihiko [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 松本 卓也 MATSUMOTO, Takuya [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 川合 知二 KAWAI, Tomoji [JP/JP]; null (UsOnly)
発明者
  • 小嶋 薫 OJIMA, Kaoru; null
  • 高木 昭彦 TAKAGI, Akihiko; null
  • 山田 郁彦 YAMADA, Fumihiko; null
  • 松本 卓也 MATSUMOTO, Takuya; null
  • 川合 知二 KAWAI, Tomoji; null
代理人
  • 鈴江 武彦 SUZUYE, Takehiko; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目12番9号 鈴榮特許綜合事務所内 Tokyo c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報
2006-07705920.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FIXING METAL NANOPARTICLE
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À FIXER DES NANOPARTICULES MÉTALLIQUES
(JA) 金属ナノ微粒子の固定化方法
要約
(EN)
A pattern is formed by dropping a solution, which includes metal nanoparticles bonded with polymer, on a substrate at least the front surface of which has an insulating characteristic. After drying the substrate, plasma is applied on the pattern.
(FR)
L'invention concerne un motif formé par déversement d'une solution, qui contient des nanoparticules métalliques liées à du polymère, sur un substrat dont au moins la surface avant possède une caractéristique isolante. Après séchage du substrat, du plasma est appliqué sur le motif.
(JA)
 少なくともその表面が絶縁性を有する基板上に高分子と結合した金属ナノ微粒子を含む溶液を滴下してパターンを作成し、前記基板上を乾燥させた後に、前記パターンにプラズマを照射する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報