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1. WO2007108462 - エッチング方法

公開番号 WO/2007/108462
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/055623
国際出願日 20.03.2007
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01L 21/32136
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
32136using plasmas
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, Inc. [JP/JP]; 〒2538543 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 Kanagawa 2500, Hagisono, Chigasaki, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 〒1008921 東京都千代田区霞が関一丁目3番1号 Tokyo 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP (AllExceptUS)
  • 小風 豊 KOKAZE, Yutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山本 直志 YAMAMOTO, Tadashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 鄒 紅コウ SUU, Koukou [CN/JP]; JP (UsOnly)
  • 秋永 広幸 AKINAGA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高野 史好 TAKANO, Fumiyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 小風 豊 KOKAZE, Yutaka; JP
  • 山本 直志 YAMAMOTO, Tadashi; JP
  • 鄒 紅コウ SUU, Koukou; JP
  • 秋永 広幸 AKINAGA, Hiroyuki; JP
  • 高野 史好 TAKANO, Fumiyoshi; JP
代理人
  • 志賀 正武 SHIGA, Masatake; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 1048453, JP
優先権情報
2006-07775720.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉS DE DECAPAGE
(JA) エッチング方法
要約
(EN)
Provided is an etching method wherein a mixed gas of hydrofluorocarbon gas, oxygen gas and nitrogen gas is introduced to generate plasma, and a material including a transition metal is etched.
(FR)
L'invention concerne un procédé de décapage selon lequel un gaz mixte d'hydrofluorocarbone gazeux, d'oxygène gazeux et d'azote gazeux est introduit pour générer un plasma, et un matériau comprenant un métal de transition est décapé.
(JA)
 ハイドロフルオロカーボンガス、酸素ガスおよび窒素ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、遷移金属を含む材料をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
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