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1. (WO2007108445) 連続薄膜の形成方法及び薄膜付き線状ガラス基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/108445    国際出願番号:    PCT/JP2007/055538
国際公開日: 27.09.2007 国際出願日: 19.03.2007
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
出願人: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TODA, Sadayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOAIZAWA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Toshihiro; (JP).
TODA, Sadayuki; (JP).
KOAIZAWA, Hisashi; (JP)
代理人: MATSUSHITA, Makoto; Apuri Shinyokohama Building 5F. 2-5-19, Shinyokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
2006-076351 20.03.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING CONTINUOUS THIN FILM AND LINEAR GLASS SUBSTRATE WITH THIN FILM
(FR) procédé de formation de mince film continu et substrat de verre linéaire avec film mince
(JA) 連続薄膜の形成方法及び薄膜付き線状ガラス基板
要約: front page image
(EN)A method of forming a continuous thin film, in which a thin band-form glass substrate (10a) having a coefficient db/2(d+b) ranging from 0.015 to 0.15, d being a depth and b being a width at a substrate section, is continuously moved so as to pass a cooling region (17) lower in temperature than a film forming region (16) immediately after passed the film forming region (16) controlled to a high temperature by supplying a reaction gas, and the glass substrate (10a) is heated quickly in the film forming region (16) and then is quickly cooled in the cooling region (17) to thereby form a thin film consisting of a reaction gas component on the glass substrate (10b), whereby a dense thin film such as a silicon thin film is formed at high speed and continuously on a thin band-form glass substrate (10a).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de mince film continu, selon lequel un substrat de verre en forme de bande mince (10a) possédant un coefficient db/2(d+b) allant de 0,015 à 0,15, d étant une profondeur et b étant une largeur en une section du substrat, est déplacé de manière continue pour passer à travers une région de refroidissement (17) de température inférieure à celle d'une région de formation de film (16) juste après la région de formation de film (16) régulée à une température élevée en injectant un gaz de réaction, et le substrat de verre (10a) est chauffé rapidement dans la région de formation de film (16) puis est rapidement refroidi dans la région de refroidissement (17) pour ainsi constituer un mince film consistant en un composant de gaz de réaction sur le substrat de verre (10b), un mince film dense comme un mince film de silicium se formant à grande vitesse et de manière continue sur le substrat de verre en forme de bande mince (10a).
(JA)本発明の連続薄膜形成方法では、基板断面での厚さdと幅bの係数db/2(d+b)が0.015から0.15の範囲の薄い帯状のガラス基板10aを、反応ガスが供給されており高温状態に温度制御された成膜領域16を通過直後に、該成膜領域16よりも低い温度の冷却領域17を通過するよう連続移動させて、前記ガラス基板10aを前記成膜領域16において急速加熱し、その後速やかに前記冷却領域17において急冷することにより、前記ガラス基板10b上に前記反応ガス成分からなる薄膜を形成させて、薄い帯状ガラス基板10a上に、例えばシリコン薄膜のような緻密な薄膜を高速で連続的に形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)