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1. WO2007108420 - 走査型露光装置、マイクロデバイスの製造方法、マスク、投影光学装置、及びマスクの製造方法

公開番号 WO/2007/108420
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/055417
国際出願日 16.03.2007
IPC
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G02B 13/14 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
13以下に詳細に記載される目的のために特に設計された対物レンズ
14赤外線または紫外線で使うもの
G02B 13/24 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
13以下に詳細に記載される目的のために特に設計された対物レンズ
24短物体距離にて複製または複写に使用するもの
G02B 17/08 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
17反射面を有し,かつ屈折素子をもちまたはもたない系
08反射屈折系
G03F 1/70 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
70マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること,例.画像化のためのマスクパターンの再修正
G03F 1/76 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
76画像化によるマスクのパターン形成
CPC
G02B 17/004
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
004Systems comprising a plurality of reflections between two or more surfaces, e.g. cells, resonators
G02B 17/08
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
08Catadioptric systems
G02B 27/0043
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
0025for optical correction, e.g. distorsion, aberration
0037with diffracting elements
0043in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
G03F 7/70216
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
G03F 7/70275
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70275Multiple projection paths, array of projection systems, microlens projection systems, tandem projection systems
G03F 7/70791
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70791Large workpieces, e.g. in the shape of web or polygon
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 加藤 正紀 KATO, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 加藤 正紀 KATO, Masaki; JP
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
優先権情報
2006-07585320.03.2006JP
2006-27938813.10.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SCANNING EXPOSURE APPARATUS, MICRO DEVICE MANUFACTURING METHOD, MASK, PROJECTION OPTICAL APPARATUS AND MASK MANUFACTURING METHOD
(FR) appareil d'exposition À balayage, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE micro-DISPOSITIF, MASQUE, appareil optique de projection et procédé de fabrication de masque
(JA) 走査型露光装置、マイクロデバイスの製造方法、マスク、投影光学装置、及びマスクの製造方法
要約
(EN)
A scanning exposure apparatus transfers and exposes the pattern of a first object (M) on a second object (P), while changing positional relationship between the scanning direction of a first projection optical system (PL2) and a second projection optical system (PL1) and the scanning direction of the first object and the second object, by using the first projection optical system arranged on the front side in the scanning direction, and the second projection optical system arranged on the rear side in the scanning direction. Each of the first projection optical system and the second projection optical system forms an expanded image, which is in the visual field on the first object, on the image field on the second object, and an inequality of Dp<Dmx‖&bgr;‖ (‖&bgr;‖>1) is satisfied, where, (Dm) is an interval between the center of the visual field of the first projection optical system and the center of the visual field of the second projection optical system in the scanning direction, (Dp) is an interval between the center of the image field made by the first projection optical system and the center of the image field made by the second projection optical system in the scanning direction, and (&bgr;) is a projection magnification ratio of each of the first projection optical system and the second projection optical system.
(FR)
L'appareil d'exposition à balayage selon l'invention transfère et expose le motif d'un premier objet (M) sur un second objet (P), tout en modifiant la relation positionnelle entre la direction de balayage d'un premier système optique de projection (PL2) et d'un second système optique de projection (PL1) et la direction de balayage du premier objet et du second objet, en utilisant le premier système optique de projection disposé sur le côté avant dans la direction de balayage et le second système optique de projection disposé sur le côté arrière dans la direction de balayage. Le premier système optique de projection et le second système optique de projection forment chacun une image expansée, qui est dans le champ visuel sur le premier objet, sur le champ d'image sur le second objet, et la relation Dp<Dmx‖&bgr;‖ (‖&bgr;‖>1) est satisfaite, (Dm) étant un intervalle entre le centre du champ visuel du premier système optique de projection et le centre du champ visuel du second système optique de projection dans la direction de balayage, (Dp) étant un intervalle entre le centre du champ d'image créé par le premier système optique de projection et le centre du champ d'image créé par le second système optique de projection dans la direction de balayage, et (&bgr;) étant un rapport d'agrandissement de projection du premier système optique de projection et du second système optique de projection.
(JA)
走査方向の前方側に配置された第1投影光学系PL2と、走査方向の後方側に配置された第2投影光学系PL1とを用いて、第1投影光学系及び第2投影光学系と第1物体M及び第2物体Pとの走査方向に関する位置関係を変化させつつ第1物体のパターンを第2物体上に転写露光する走査型露光装置において、第1投影光学系及び第2投影光学系は、それぞれ第1物体上における視野内の拡大像を第2物体上の像野内に形成し、第1投影光学系及び第2投影光学系の前記視野の中心同士の走査方向における間隔をDmとし、第1投影光学系及び第2投影光学系による像野の中心同士の前記走査方向における間隔をDpとし、第1投影光学系及び第2投影光学系のそれぞれの投影倍率をβとするとき、Dp<Dm×|β|(但し、|β|>1)を満たす。
他の公開
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