処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2007108338 - 窒化物単結晶の製造方法および装置

公開番号 WO/2007/108338
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054738
国際出願日 05.03.2007
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C30B 9/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
9溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長
CPC
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
C30B 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
Y10T 117/1096
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1096including pressurized crystallization means [e.g., hydrothermal]
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 〒4678530 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 Aichi 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP (AllExceptUS)
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒5650871 大阪府吹田市山田丘1番1号 Osaka 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP (AllExceptUS)
  • 岩井真 IWAI, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 東原周平 HIGASHIHARA, Shuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐々木孝友 SASAKI, Takatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 森勇介 MORI, Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 川村史朗 KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 岩井真 IWAI, Makoto; JP
  • 東原周平 HIGASHIHARA, Shuhei; JP
  • 佐々木孝友 SASAKI, Takatomo; JP
  • 森勇介 MORI, Yusuke; JP
  • 川村史朗 KAWAMURA, Fumio; JP
代理人
  • 細田益稔 HOSODA, Masutoshi; 〒1080074 東京都港区高輪一丁目5番4号 常和高輪ビル7階 Tokyo Jowa Takanawa BLDG. 7F 5-4, Takanawa 1-chome Minato-ku, Tokyo 108-0074, JP
優先権情報
2006-08052623.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR LA FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE NITRURE
(JA) 窒化物単結晶の製造方法および装置
要約
(EN)
A growth solution (7) containing an easily-oxidizable substance is used to grow a nitride single crystal. The process is characterized by growing a nitride single crystal using: a crucible (1) for containing the growth solution (7); a pressure vessel in which the crucible (1) is placed and which is filled with an atmosphere comprising nitrogen gas; and oxygen-absorbing materials (14) and (15) disposed inside the pressure vessel and outside the crucible (1).
(FR)
L'invention concerne une solution de croissance (7) contenant une substance facilement oxydable, ladite solution étant utilisée pour la croissance d'un monocristal de nitrure. Le procédé est caractérisé par la croissance d'un monocristal de nitrure en utilisant : un creuset (1) destiné à contenir la solution de croissance (7) ; une cuve sous pression dans laquelle le creuset (1) est placé et qui est remplie d'une atmosphère comprenant de l'azote gazeux ; et des matériaux absorbant l'oxygène (14) et (15) disposés à l'intérieur de la cuve sous pression et à l'extérieur du creuset (1).
(JA)
易酸化性物質を含む育成溶液7を使用して窒化物単結晶を育成する。育成溶液7を収容するためのルツボ1、ルツボ1を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器、および圧力容器内かつルツボ1外に配置されている酸素吸収材14、15を使用し、窒化物単結晶を育成することを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報