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1. WO2007108253 - 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2007/108253
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/052555
国際出願日 14.02.2007
IPC
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • 新堀 博 SHIMBORI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 増島 正宏 MASUJIMA, Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山口 敏弘 YAMAGUCHI, Toshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 吉澤 佐智子 YOSHIZAWA, Sachiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 新堀 博 SHIMBORI, Hiroshi; JP
  • 増島 正宏 MASUJIMA, Masahiro; JP
  • 山口 敏弘 YAMAGUCHI, Toshihiro; JP
  • 吉澤 佐智子 YOSHIZAWA, Sachiko; JP
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
優先権情報
2006-07092715.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR FORMATION OF THICK RESIST FILM, THICK RESIST LAMINATE, AND METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE DE FORMATION DE FILM DE RÉSERVE ÉPAIS, STRATIFIÉ DE RÉSERVE ÉPAIS, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法
要約
(EN)
Disclosed is a positive resist composition for use in the formation of a thick resist film having a film thickness of 1 to 15 &mgr;m. The composition comprises a resin component (A) whose alkali solubility can be increased by the action of an acid and an acid generator component (B) which can generate an acid when exposed to light, both dissolved in an organic solvent (S). In the composition, the organic solvent (S) is a mixture of 10 to 95% by mass of propylene glycol monomethyl ether and 5 to 90% by mass of another solvent (S2).
(FR)
La présente invention concerne une composition de réserve positive destinée à être utilisée dans la formation d'un film de réserve épais de 1 à 15&mgr;m. La composition comporte un constituant de résine (A) dont la solubilité alcaline peut être accrue par l'action d'un acide et un constituant générateur d'acide (B) qui peut générer un acide lorsqu'il est exposé à la lumière, les deux étant dissous dans un solvant organique (S). Dans la composition, le solvant organique (S) est un mélange de 10 à 95% en poids d'éther monométhylique de propylène glycol et de 5 à 90% en poids d'un autre solvant (S2).
(JA)
膜厚1~15μmの厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)が有機溶剤(S)に溶解してなり、前記有機溶剤(S)が、プロピレングリコールモノメチルエーテル10~95質量%と、その他の溶剤(S2)5~90質量%との混合溶剤であるポジ型レジスト組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報