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1. WO2007108223 - 厚膜レジスト膜の形成方法およびレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2007/108223
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/050663
国際出願日 18.01.2007
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
B05D 1/40 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
1液体または他の流動性材料を適用する方法
40表面に関連して動く部材による適用された液体または他の流動性材料の分布
G03F 7/16 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
16塗布法;そのための装置
CPC
G03F 7/162
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
16Coating processes; Apparatus therefor
162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • 新堀 博 SHIMBORI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 新堀 博 SHIMBORI, Hiroshi; JP
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
優先権情報
2006-07092815.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING THICK RESIST FILM AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE RÉSERVE ÉPAIS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 厚膜レジスト膜の形成方法およびレジストパターン形成方法
要約
(EN)
Provided is a method for forming a thick resist film having a thickness of 1-15&mgr;m on a supporting body. The method is provided with an accelerating step wherein the number of rotations is increased by rotating the supporting body while dropping or after dropping a resist composition on the supporting body, a speed reducing step for reducing the increased number of rotations obtained in the accelerating step, and a low speed rotation maintaining step for maintaining the reduced number of rotations obtained in the speed reducing step.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation d'un film de réserve épais ayant une épaisseur de 1 à 15&mgr;m sur un corps de support. Le procédé comprend une étape d'accélération au cours de laquelle le nombre de rotations est augmenté par la rotation du corps de support lors du dépôt et après le dépôt d'une composition de réserve sur le corps de support, et une étape de réduction de vitesse pour réduire le nombre accru de rotations obtenu à l'étape d'accélération, et une rotation à faible vitesse pour maintenir le nombre réduit de rotations obtenu à l'étape de réduction de vitesse.
(JA)
 支持体上に膜厚1~15μmの厚膜レジスト膜を形成する方法であって、 上記支持体上にレジスト組成物を滴下しながら、または滴下した後、上記支持体を回転させ、その回転数を上げる加速工程と、上記加速工程で上げた回転数を下げる減速工程と、上記減速工程で下げた回転数を維持する低速回転維持工程とを有する厚膜レジスト膜の形成方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報