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1. WO2007108153 - シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法

公開番号 WO/2007/108153
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/320750
国際出願日 18.10.2006
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
出願人
  • デュポン エアプロダクツ ナノマテリアルズ, リミティド ライアビリティ カンパニー DuPont AirProducts NanoMaterials Limited Liability Company [US/US]; 85282 アリゾナ州テンペ ウエスト エリー ドライブ 2441 Arizona 2441 West Erie Drive, Tempe, Arizona 85282, US (AllExceptUS)
  • 岩田 尚之 IWATA, Naoyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 長島 功 NAGASHIMA, Isao [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 岩田 尚之 IWATA, Naoyuki; JP
  • 長島 功 NAGASHIMA, Isao; JP
代理人
  • 谷 義一 TANI, Yoshikazu; 〒1070052 東京都港区赤坂2丁目6-20 Tokyo 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku Tokyo 1070052, JP
優先権情報
2006-07150315.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING COMPOSITION FOR SILICON WAFER, COMPOSITION KIT FOR SILICON WAFER POLISHING, AND METHODS OF POLISHING SILICON WAFER
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE POUR GALETTE DE SILICIUM, KIT DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM
(JA) シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法
要約
(EN)
A polishing composition with which a native oxide deposit on a silicon wafer can be removed and silicon polishing can be efficiently conducted. The polishing composition comprises colloidal ceria and optionally contains an alkaline polishing composition. This composition may further contain a chelating agent. Also provided are: a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria; a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria and the subsequent step of polishing the silicon wafer with an alkaline polishing composition; and a polishing method comprising the step of polishing a silicon wafer with a polishing composition comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition. Furthermore provided is a polishing composition kit comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition.
(FR)
La présente invention concerne une composition de polissage grâce à laquelle un dépôt d'oxyde naissant sur une galette de silicium peut être éliminé et le polissage de silicium peut être réalisé de manière efficace. La composition de polissage comprend un oxyde de cérium colloïdal et contient éventuellement une composition de polissage alcaline. Cette composition peut en outre contenir un agent de chélation. On propose en outre : un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal ; un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal et l'étape suivante consistant à polir la galette de silicium avec une composition de polissage alcaline ; et un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à polir une galette de silicium avec une composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline. La présente invention concerne également un kit de composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline.
(JA)
 本発明はシリコンウエハの自然酸化膜を除去し、シリコンの研磨を効率よく行うことができる、研磨組成物を提供する。本発明の研磨組成物は、コロイダルセリアと、またはアルカリ性研磨組成物を含む。この組成物は、キレート剤をさらに含むことができる。本発明は、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程を含む研磨方法、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程と、引き続きアルカリ性研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法、並びに、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法を包含する。さらに、本発明は、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨用組成物キットに関する。
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