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1. WO2007108122 - カーボンナノチューブデバイス及びその製造方法

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公開番号 WO/2007/108122
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/305828
国際出願日 23.03.2006
IPC
H01L 29/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
06半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H01L 21/331 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
33装置が3つ以上の電極からなるもの
331トランジスタ
H01L 29/73 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70バイポーラ装置
72トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
73バイポーラ接合トランジスタ
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 29/0665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
H01L 29/0673
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
0669Nanowires or nanotubes
0673oriented parallel to a substrate
H01L 51/002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
002Making n- or p-doped regions
H01L 51/0048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0048Carbon nanotubes
H01L 51/0525
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
0525the gate dielectric comprising only inorganic materials
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中村 俊二 NAKAMURA, Shunji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 中村 俊二 NAKAMURA, Shunji
代理人
  • 國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CARBON NANOTUBE DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A NANOTUBES DE CARBONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) カーボンナノチューブデバイス及びその製造方法
front page image
要約
(EN) A carbon nanotube, which is disposed astride a source electrode (7), a TiO2 film (5) overlying a gate electrode (6), and a drain electrode (8), is formed. Thereafter, the carbon nanotube is heated to form an n-type carbon nanotube (9n). Subsequently, ultraviolet light corresponding to the band gap of the TiO2 film (5) is applied to the TiO2 film (5). As a result, active oxygen is produced from oxygen in the gas and/or oxygen excessively incorporated within the TiO2 film (5) through photocatalytic action, and the n-type carbon nanotube (9n) only in its part located immediately above the TiO2 film (5) is converted to a p-type carbon nanotube (9p).
(FR) L'invention concerne un nanotube de carbone placé en travers d'une électrode source (7), une couche de TiO2 (5) recouvrant une électrode de grille (6) et une électrode de drain (8). On chauffe ensuite le nanotube de carbone pour former un nanotube de carbone de type n (9n). On envoie ensuite sur la couche de TiO2 (5) de la lumière ultraviolette correspondant à la bande interdite de la couche de TiO2 (5). De l'oxygène actif est ainsi formé par une réaction de photocatalyse, à partir d'oxygène du gaz et/ou d'oxygène incorporé en excès dans la couche de TiO2 (5), et la partie du nanotube de carbone de type n (9n) située immédiatement au-dessus de la couche de TiO2 (5) est convertie en nanotube de carbone de type p (9p).
(JA) 　ソース電極（７）、ゲート電極（６）上のＴｉＯ２膜（５）及びドレイン電極（８）に跨るカーボンナノチューブを形成する。その後、カーボンナノチューブを加熱することにより、ｎ型カーボンナノチューブ（９ｎ）を形成する。続いて、ＴｉＯ２膜（５）のバンドギャップに相等する紫外線をＴｉＯ２膜（５）に照射する。この結果、光触媒作用により、気体中の酸素及び／又はＴｉＯ２膜（５）内に過剰に取り込まれていた酸素から活性酸素が生成され、ｎ型カーボンナノチューブ（９ｎ）のうちでＴｉＯ２膜（５）の直上に位置する部分のみがｐ型カーボンナノチューブ（９ｐ）に変化する。
関連特許文献
JPWO2007108122
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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