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1. WO2007108117 - 光半導体素子

公開番号 WO/2007/108117
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/305743
国際出願日 22.03.2006
IPC
H01S 5/343 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
CPC
H01S 5/227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
227Buried mesa structure ; ; Striped active layer
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
  • 山本 剛之 YAMAMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松田 学 MATSUDA, Manabu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 江川 満 EKAWA, Mitsuru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高田 幹 TAKADA, Kan [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 奥村 滋一 OKUMURA, Shigekazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 山本 剛之 YAMAMOTO, Tsuyoshi; JP
  • 松田 学 MATSUDA, Manabu; JP
  • 江川 満 EKAWA, Mitsuru; JP
  • 高田 幹 TAKADA, Kan; JP
  • 奥村 滋一 OKUMURA, Shigekazu; JP
代理人
  • 真田 有 SANADA, Tamotsu; 〒1800004 東京都武蔵野市吉祥寺本町1丁目10番31号吉祥寺広瀬ビル5階 Tokyo Kichijoji-Hirose Bldg. 5th Floor 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光半導体素子
要約
(EN)
An optical semiconductor device comprising active layer (5); first semiconductor layer (6) of Al-containing semiconductor material superimposed above the active layer (5); second semiconductor layer (7) superimposed above the first semiconductor layer (6) and constituted of a semiconductor material containing neither Al nor P and exhibiting a band gap larger than that of the active layer (5); and third semiconductor layer (8) superimposed above the second semiconductor layer (7) and constituted of a semiconductor material not containing Al but containing P, wherein the second semiconductor layer (7) is provided so as to avoid any contact of the first semiconductor layer (6) with the third semiconductor layer (8).
(FR)
Dispositif optique à semi-conducteur comprenant une couche active (5), une première couche en semi-conducteur (6) faite d'un matériau semi-conducteur contenant de l'Al sur la couche active (5), une deuxième couche en semi-conducteur (7) sur la première couche en semi-conducteur (6) faite d'un matériau semi-conducteur ne contenant ni Al ni P et ayant une bande interdite plus large que celle de la couche active (5), et une troisième couche en semi-conducteur (8) sur la deuxième couche en semi-conducteur (7) faite d'un matériau semi-conducteur ne contenant pas d'Al mais contenant du P, la deuxième couche en semi-conducteur (7) étant agencée de façon à éviter tout contact entre la première couche en semi-conducteur (6) et la troisième couche en semi-conducteur (8).
(JA)
 光半導体素子を、活性層(5)と、活性層(5)の上方に形成され、Alを含有する半導体材料からなる第1半導体層(6)と、第1半導体層(6)の上方に形成され、Al及びPを含有せず、活性層(5)よりもバンドギャップの大きい半導体材料からなる第2半導体層(7)と、第2半導体層(7)の上方に形成され、Alを含有せず、Pを含有する半導体材料からなる第3半導体層(8)とを備えるものとし、第2半導体層(7)が、第1半導体層(6)と第3半導体層(8)とが接しないように形成する。
他の公開
US12234161
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